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L'électronique de puissance de transistor MOSFET d'IRFB3004PBF
Description de produit :
L'IRFB3004PBF est une électronique de puissance de transistor MOSFET de N-canal conçue pour l'usage dans les alimentations d'énergie à haute fréquence de commutateur-mode, la commutation d'usage universel et les applications d'amplificateur. Ce transistor MOSFET a une estimation de tension de drain-source de 100V, un courant de drain de 30A, et une dissipation de puissance maximum de 4.5W.
Caractéristiques :
• Transistor MOSFET de N-canal
• estimation de tension de la Drain-source 100V
• courant du drain 30A
• dissipation de puissance 4.5W maximum
• Basse Sur-résistance
• Commutation à grande vitesse
• RoHS conforme
Applications :
• Alimentations d'énergie à haute fréquence de Commutateur-mode
• Commutation d'usage universel
• Applications d'amplificateur
Statut de produit
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Actif
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Type de FET
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Technologie
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Transistor MOSFET (oxyde de métal)
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Vidangez à la tension de source (Vdss)
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Actuel - drain continu (identification) @ 25°C
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Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
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10V
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Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs
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1.75mOhm @ 195A, 10V
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Identification de Vgs (Th) (maximum) @
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4V @ 250µA
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Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs
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240 OR @ 10 V
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Vgs (maximum)
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±20V
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Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds
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9200 PF @ 25 V
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Caractéristique de FET
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-
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Dissipation de puissance (maximum)
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380W (comité technique)
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Température de fonctionnement
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-55°C | 175°C (TJ)
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Montage du type
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Paquet de dispositif de fournisseur
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TO-220AB
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Paquet/cas
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Nombre bas de produit
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