Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Transistor MOSFET d'IRFB3004PBF dans la dissipation à basse température de rendement élevé de l'électronique de puissance

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Transistor MOSFET d'IRFB3004PBF dans la dissipation à basse température de rendement élevé de l'électronique de puissance

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Number modèle :IRFB3004PBF
Point d'origine :Multi-origine
Quantité d'ordre minimum :1
Conditions de paiement :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :999999
Délai de livraison :1-7days
Détails de empaquetage :Norme
Type de produit :L'électronique de puissance de transistor MOSFET
Fabricant :Infineon Technologies
Fabricant Product Number :IRFB3004PBF
Description :Transistor MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
Fabricant Standard Lead Time :1-7days
Description détaillée :N-canal 40 V 195A (comité technique) 380W (comité technique) par le trou TO-220AB
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L'électronique de puissance de transistor MOSFET d'IRFB3004PBF

 

Description de produit :

 

L'IRFB3004PBF est une électronique de puissance de transistor MOSFET de N-canal conçue pour l'usage dans les alimentations d'énergie à haute fréquence de commutateur-mode, la commutation d'usage universel et les applications d'amplificateur. Ce transistor MOSFET a une estimation de tension de drain-source de 100V, un courant de drain de 30A, et une dissipation de puissance maximum de 4.5W.

 

Caractéristiques :


• Transistor MOSFET de N-canal
• estimation de tension de la Drain-source 100V
• courant du drain 30A
• dissipation de puissance 4.5W maximum
• Basse Sur-résistance
• Commutation à grande vitesse
• RoHS conforme

 

Applications :


• Alimentations d'énergie à haute fréquence de Commutateur-mode
• Commutation d'usage universel
• Applications d'amplificateur

 

 

Statut de produit
Actif
Type de FET
Technologie
Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vidangez à la tension de source (Vdss)
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs
1.75mOhm @ 195A, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs
240 OR @ 10 V
Vgs (maximum)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds
9200 PF @ 25 V
Caractéristique de FET
-
Dissipation de puissance (maximum)
380W (comité technique)
Température de fonctionnement
-55°C | 175°C (TJ)
Montage du type
Paquet de dispositif de fournisseur
TO-220AB
Paquet/cas
Nombre bas de produit

 

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