Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.
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L'électronique de puissance de transistor MOSFET d'IRF6613TRPBF
Description de produit :
L'IRF6613TRPBF est un appareil électronique de puissance de transistor MOSFET de mode d'amélioration de N-canal, conçu pour des applications de changement à haute fréquence. Ce dispositif offre la basse sur-résistance et la capacité de chargement à forte intensité, lui faisant un choix idéal pour la gestion de puissance et la conversion des circuits à haute fréquence.
Caractéristiques :
• Basse Sur-résistance
• Capacité de chargement à forte intensité
• Commutation à haute fréquence
• RoHS conforme
Caractéristiques :
• Polarité : N-canal
• Tension : 30V
• Vidangez à la tension de source (Vdss) : 30V
• Tension de seuil de porte (Vgs) : -4V
• Vidangez le courant (identification) : -6A
• Courant continu de drain (identification) : -6A
• Dissipation de puissance (palladium) : 130W
• Style de caisse de transistor : TO-220AB
• No. de goupilles : 3
• Chaîne de température de fonctionnement : -55°C à +150°C
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Statut de produit
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Actif
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Type de FET
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Technologie
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Transistor MOSFET (oxyde de métal)
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Vidangez à la tension de source (Vdss)
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Actuel - drain continu (identification) @ 25°C
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Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
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4.5V, 10V
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Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs
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3.4mOhm @ 23A, 10V
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Identification de Vgs (Th) (maximum) @
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2.25V @ 250µA
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Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs
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63 OR @ 4,5 V
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Vgs (maximum)
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±20V
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Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds
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5950 PF @ 15 V
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Caractéristique de FET
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-
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Dissipation de puissance (maximum)
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2.8W (merci), 89W (comité technique)
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Température de fonctionnement
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-40°C | 150°C (TJ)
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Montage du type
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Paquet de dispositif de fournisseur
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LA TA DE DIRECTFET™
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Paquet/cas
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Nombre bas de produit
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