Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Power Mosfet BSZ086P03NS3GATMA1 Commutation basse tension à courant élevé

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Ville:shenzhen
Pays / Région:china
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Power Mosfet BSZ086P03NS3GATMA1 Commutation basse tension à courant élevé

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Number modèle :BSZ086P03NS3GATMA1
Point d'origine :Multi-origine
Quantité d'ordre minimum :1
Conditions de paiement :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :999999
Délai de livraison :1-7days
Détails de empaquetage :Norme
Type de produit :L'électronique de puissance de transistor MOSFET
Fabricant :Infineon Technologies
Fabricant Product Number :BSZ086P03NS3GATMA1
Description :Transistor MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON
Fabricant Standard Lead Time :1-7days
Description détaillée :P-canal 30 V 13.5A (ventres), 40A (comité technique) 2.1W (merci), bâti PG-TSDSON-8 de la surface 69
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Liste de produits :

Électronique de puissance MOSFET BSZ086P03NS3GATMA1

Paramètres du produit :

• Tension drain-source : -30 V
• Tension porte-source : ± 20 V
• Plage de températures de fonctionnement : -55 °C à +150 °C
• Courant de drain pulsé : 90 A
• Courant de drain continu : 32 A
• Résistance : 0,027 Ω
• Capacité d'entrée : 880 pF
• Capacité de sortie : 108 pF
• Dissipation de puissance : 18,2 W
• Type de montage : montage en surface
• Emballage/boîte : TO-252-3

État du produit
Actif
Type FET
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain à source (Vdss)
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8,6 mOhms à 20 A, 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id
3,1 V à 105 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
57,5 nC à 10 V
Vg (Max)
±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
4785 pF à 15 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (maximale)
2,1 W (Ta), 69 W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Ensemble d'appareils du fournisseur
PG-TSDSON-8
Paquet/caisse
Numéro de produit de base

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