Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.
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Électronique de puissance MOSFET IPD60R2K1CEUMA1
Description du produit:
L'IPD60R2K1CEUMA1 est un MOSFET de puissance à canal N, optimisé pour les applications de commutation de puissance.Cet appareil est conçu à l'aide de la technologie avancée Trench MOSFET pour un excellent RDS(ON) et une faible charge de grille.Il offre des performances de commutation supérieures avec des temps de commutation rapides et une charge de grille de bas niveau.Avec une large gamme de VDSS, cet appareil convient à une variété d'applications d'alimentation.
Caractéristiques:
• MOSFET de puissance canal N
• Technologie MOSFET de tranchée avancée
• Optimisé pour les applications de commutation de puissance
• Faible RDS (ON)
• Faible charge à l'entrée
• Temps de commutation rapides
• Charge de porte de bas niveau
• Large gamme de VDSS
• Convient à une variété d'applications de puissance
Caractéristiques:
• Tension drain-source (VDSS) : 60 V
• Courant de drain (ID) : 2 A
• RDS(ON) : 1,45 mΩ
• Tension porte-source (VGS) : ± 20 V
• Dissipation de puissance maximale (PD) : 2,2 W
• Température de fonctionnement : -55 °C à +150 °C
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État du produit
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Actif
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Type FET
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Technologie
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MOSFET (oxyde métallique)
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Tension drain à source (Vdss)
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Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C
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Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
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10V
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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2,1 Ohms à 760 mA, 10 V
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Vgs(th) (Max) @ Id
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3,5 V à 60 µA
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Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
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6,7 nC à 10 V
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Vg (Max)
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±20V
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Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
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140 pF à 100 V
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Fonction FET
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-
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Dissipation de puissance (maximale)
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38W (TC)
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Température de fonctionnement
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-40°C ~ 150°C (TJ)
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Type de montage
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Ensemble d'appareils du fournisseur
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PG-TO252-3
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Paquet/caisse
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Numéro de produit de base
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