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Liste de produits :
IRFB4127PBF, Électronique de puissance MOSFET
Il s'agit d'un MOSFET de puissance avancé et hautes performances conçu pour être utilisé dans une large gamme d'applications.Cet appareil présente une faible résistance à l'état passant, une capacité de gestion de courant élevé et une capacité de commutation à haute fréquence.De plus, l'appareil dispose d'une diode de protection intégrée et d'une tension nominale drain-source étendue.
Caractéristiques:
- Faible résistance à l'allumage
- Capacité de gestion de courant élevé
- Capacité de commutation haute fréquence
- Tension nominale drain-source étendue
- Diode de protection intégrée
- Conforme RoHS
Caractéristiques:
- Tension drain-source : 100 V
-Tension de la porte de vidange : 100 V
- Tension porte-source : ±20 V
- Courant de drain continu : 24 A
- Courant de drain pulsé : 68 A
- RDS(ON): 19mΩ
- Colis : TO-220AB
État du produit
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Actif
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Type FET
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Technologie
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MOSFET (oxyde métallique)
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Tension drain à source (Vdss)
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Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C
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Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
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10V
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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20 mOhms à 44 A, 10 V
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Vgs(th) (Max) @ Id
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5V @ 250µA
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Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
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150 nC à 10 V
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Vg (Max)
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±20V
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Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
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5380 pF à 50 V
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Fonction FET
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-
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Dissipation de puissance (maximale)
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375W (TC)
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Température de fonctionnement
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-55°C ~ 175°C (TJ)
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Type de montage
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Ensemble d'appareils du fournisseur
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TO-220AB
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Paquet/caisse
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Numéro de produit de base
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