Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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IRFB7730PBF Power Mosfet haute tension et capacité de courant élevé

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IRFB7730PBF Power Mosfet haute tension et capacité de courant élevé

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Number modèle :IRFB7730PBF
Point d'origine :Multi-origine
Quantité d'ordre minimum :1
Conditions de paiement :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :999999
Délai de livraison :1-7days
Détails de empaquetage :Norme
Type de produit :L'électronique de puissance de transistor MOSFET
Fabricant :Infineon Technologies
Fabricant Product Number :IRFB7730PBF
Description :Transistor MOSFET N-CH 75V 195A TO220AB
Fabricant Standard Lead Time :1-7days
Description détaillée :N-canal 75 V 195A (comité technique) 375W (comité technique) par le trou TO-220AB
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Électronique de puissance MOSFET IRFB7730PBF :

Caractéristiques:


- MOSFET canal N 100 V
-RDS typique (activé) = 0,052 Ohm
-Faible charge de grille (Qg)
-Bas Crss
-Qualifié AEC-Q101

Applications:
-Commutation d'alimentation
-Protection de la batterie
-Convertisseurs DC-DC
-Commutation de charge à courant élevé
-Commutation de charge latérale élevée
-Commutation à usage général

Paramètres:


-Tension drain-source : 100 V
-Courant de drain continu : 56 A
-Dissipation de puissance : 0,8 W
-Tension porte-source : ±20 V
-RDS (allumé) : 0,052 Ohm
-Qg Charge totale de la porte : 28 nC
-Transconductance : 16,2 S
-Capacité d'entrée : 590 pF
-Paquet/boîte : TO-220AB

État du produit
Actif
Type FET
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain à source (Vdss)
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2,6 mOhms à 100 A, 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id
3,7 V à 250 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
407 nC à 10 V
Vg (Max)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
13660 pF à 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (maximale)
375W (TC)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Ensemble d'appareils du fournisseur
TO-220AB
Paquet/caisse
Numéro de produit de base

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