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Électronique de puissance MOSFET IRFB7730PBF :
Caractéristiques:
- MOSFET canal N 100 V
-RDS typique (activé) = 0,052 Ohm
-Faible charge de grille (Qg)
-Bas Crss
-Qualifié AEC-Q101
Applications:
-Commutation d'alimentation
-Protection de la batterie
-Convertisseurs DC-DC
-Commutation de charge à courant élevé
-Commutation de charge latérale élevée
-Commutation à usage général
Paramètres:
-Tension drain-source : 100 V
-Courant de drain continu : 56 A
-Dissipation de puissance : 0,8 W
-Tension porte-source : ±20 V
-RDS (allumé) : 0,052 Ohm
-Qg Charge totale de la porte : 28 nC
-Transconductance : 16,2 S
-Capacité d'entrée : 590 pF
-Paquet/boîte : TO-220AB
État du produit
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Actif
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Type FET
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Technologie
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MOSFET (oxyde métallique)
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Tension drain à source (Vdss)
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Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C
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Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
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6V, 10V
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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2,6 mOhms à 100 A, 10 V
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Vgs(th) (Max) @ Id
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3,7 V à 250 µA
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Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
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407 nC à 10 V
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Vg (Max)
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±20V
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Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
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13660 pF à 25 V
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Fonction FET
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-
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Dissipation de puissance (maximale)
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375W (TC)
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Température de fonctionnement
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-55°C ~ 175°C (TJ)
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Type de montage
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Ensemble d'appareils du fournisseur
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TO-220AB
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Paquet/caisse
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Numéro de produit de base
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