Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.
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Électronique de puissance MOSFET IRFB4019PBF
Description du produit:
L'IRFB4019PBF est un dispositif électronique de puissance MOSFET hautes performances à base de silicium d'International Rectifier.Il s'agit d'un transistor bipolaire à grille isolée commandé en tension (IGBT) conçu pour fournir des performances supérieures dans l'alimentation et d'autres applications de conversion de puissance.Cet appareil est disponible dans un boîtier TO-220AC avec un tampon thermique étendu.
Caractéristiques:
• Faible résistance à l'état passant (RDS(on))
• Faible charge de grille (Qg)
• Faible capacité grille-source (Ciss)
• Température maximale de jonction (Tjmax) de 175 °C
• Tension drain-source maximale (VDS) de 600 V
• Courant de drain maximal (ID) de 60 A
• Plage de température de fonctionnement de -55 °C à 175 °C
• Sans plomb, conforme RoHS
Application:
L'IRFB4019PBF convient à une large gamme d'applications telles que les alimentations, les onduleurs solaires, les contrôleurs de moteur et d'autres applications de conversion de puissance.
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État du produit
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Actif
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Type FET
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Technologie
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MOSFET (oxyde métallique)
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Tension drain à source (Vdss)
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Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C
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Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
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10V
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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95 mOhms à 10 A, 10 V
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Vgs(th) (Max) @ Id
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4,9 V à 50 µA
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Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
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20 nC à 10 V
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Vg (Max)
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±20V
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Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
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800 pF à 50 V
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Fonction FET
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-
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Dissipation de puissance (maximale)
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80W (TC)
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Température de fonctionnement
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-55°C ~ 175°C (TJ)
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Type de montage
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Ensemble d'appareils du fournisseur
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TO-220AB
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Paquet/caisse
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Numéro de produit de base
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