Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Transistor à effet de champ MOSFET à canal N de puissance commune SPD08P06PGBTMA1 8A 60V

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Transistor à effet de champ MOSFET à canal N de puissance commune SPD08P06PGBTMA1 8A 60V

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Number modèle :SPD08P06PGBTMA1
Point d'origine :Multi-origine
Quantité d'ordre minimum :1
Conditions de paiement :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :999999
Délai de livraison :1-7days
Détails de empaquetage :Norme
Type de produit :L'électronique de puissance de transistor MOSFET
Fabricant :Infineon Technologies
Fabricant Product Number :SPD08P06PGBTMA1
Description :Transistor MOSFET P-CH 60V 8.83A TO252-3
Fabricant Standard Lead Time :1-7days
Description détaillée :Bâti PG-TO252-3 de la surface 42W (comité technique) du P-canal 60 V 8.83A (ventres)
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Cette liste est pour une électronique de puissance MOSFET SPD08P06PGBTMA1.Ce MOSFET est un transistor à effet de champ de puissance à canal N de niveau logique et possède les paramètres suivants :

Type : Électronique de puissance MOSFET
Numéro de pièce : SPD08P06PGBTMA1
Tension : 8 V
Courant : 60 A
Chute de tension : 0,20 V
Type d'emballage : TO-220
RDS(ON) : 0,037 Ohms
Pd : 6,75 W
Configuration : Simple
Température de fonctionnement : -55°C à 175°C

État du produit
Actif
Type FET
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain à source (Vdss)
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
6.2V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
300 mOhms à 10 A, 6,2 V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC à 10 V
Vg (Max)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
420 pF à 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (maximale)
42W (TC)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Ensemble d'appareils du fournisseur
PG-TO252-3
Paquet/caisse
Numéro de produit de base

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