Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Rendement élevé de haute qualité commun du transistor MOSFET NTMT090N65S3HF de puissance

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Rendement élevé de haute qualité commun du transistor MOSFET NTMT090N65S3HF de puissance

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Number modèle :NTMT090N65S3HF
Point d'origine :Multi-origine
Quantité d'ordre minimum :1
Conditions de paiement :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :999999
Délai de livraison :1-7days
Détails de empaquetage :Norme
Type de produit :L'électronique de puissance de transistor MOSFET
Fabricant :onsemi
Fabricant Product Number :NTMT090N65S3HF
Description :ACTIONNEZ LE TRANSISTOR MOSFET, LE N-CANAL, SUPERFE
Fabricant Standard Lead Time :1-7days
Description détaillée :Bâti 4-PQFN (8x8) de la surface 272W (comité technique) du N-canal 650 V 36A (comité technique)
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L'électronique de puissance de transistor MOSFET de NTMT090N65S3HF

 

Caractéristiques du produit :


• transistor MOSFET du N-canal 900V
• 30A le RDS (dessus)
• Basse charge de porte
• Bas Miller Capacitance
• Commutation à grande vitesse
• Bas Qg et Qgd
• 100% UIS examiné
• RoHS conforme

 

Caractéristiques :


• Configuration : N-canal
• Tension de Drain-source (VDS) : 900V
• Courant continu de drain (identification) : 30A
• Sur-résistance de Drain-source (le RDS (dessus)) : 0,0058 ohms
• Tension de Porte-source (VGS) : ±20V
• Charge de porte (Qg) : 48nC
• Capacité d'entrée (Ciss) : 3.2nF
• Dissipation de puissance (palladium) : 109W
• Température de fonctionnement : -55°C à 150°C
• Style de caisse de transistor : TO-220AB
• No. de goupilles : 3
• Montage du type : Par le trou

 

Statut de produit
Pas pour de nouvelles conceptions
Type de FET
Technologie
Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vidangez à la tension de source (Vdss)
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs
90mOhm @ 18A, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @
5V @ 860µA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs
66 OR @ 10 V
Vgs (maximum)
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds
2930 PF @ 400 V
Caractéristique de FET
-
Dissipation de puissance (maximum)
272W (comité technique)
Température de fonctionnement
-55°C | 150°C (TJ)
Montage du type
Paquet de dispositif de fournisseur
4-PQFN (8x8)
Paquet/cas

 

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