Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Transistor Mosfet NVMFS5C646NLWFAFT1G FET haute performance ultra basse tension

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Transistor Mosfet NVMFS5C646NLWFAFT1G FET haute performance ultra basse tension

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Number modèle :NVMFS5C646NLWFAFT1G
Point d'origine :Multi-origine
Quantité d'ordre minimum :1
Conditions de paiement :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :999999
Délai de livraison :1-7days
Détails de empaquetage :Norme
Type de produit :L'électronique de puissance de transistor MOSFET
Fabricant :onsemi
Fabricant Product Number :NVMFS5C646NLWFAFT1G
Description :Transistor MOSFET N-CH 60V 20A/93A 5DFN
Fabricant Standard Lead Time :1-7days
Description détaillée :N-canal 60 V 20A (ventres), 93A (comité technique) 3.7W (merci), 79W (comité technique) bâti 5-DFN (
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Électronique de puissance MOSFET NVMFS5C646NLWFAFT1G

Description du produit:

Le NVMFS5C646NLWFAFT1G est un dispositif électronique de puissance MOSFET hautes performances conçu pour offrir une efficacité énergétique et une fiabilité supérieures.Ce MOSFET à canal N convient à une variété d'applications, y compris la conversion de puissance, la commande de moteur et le conditionnement de signal.Il est construit avec une grille haute tension intégrée et une diode de corps intégrée, permettant son utilisation dans des applications haute puissance.Avec une excellente résistance à l'état passant et une faible charge de grille, cet appareil offre une efficacité énergétique et une fiabilité supérieures dans une grande variété de systèmes.

Caractéristiques:


-Électronique de puissance MOSFET haute performance
-Porte haute tension intégrée
-Diode de corps intégrée
-Excellente résistance à l'allumage
-Faible charge de porte

-Grande variété de systèmes

Applications:


-Conversion de puissance
-Contrôle moteur
-Conditionnement de signal

État du produit
Actif
Type FET
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain à source (Vdss)
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4,7 mOhms à 50 A, 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
33,7 nC à 10 V
Vg (Max)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2164 pF à 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (maximale)
3,7 W (Ta), 79 W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Ensemble d'appareils du fournisseur
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paquet/caisse
Numéro de produit de base

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