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Transistor Mosfet NVMFS5C646NLAFT1G faible sur les biens de rendement élevé de résistance

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Transistor Mosfet NVMFS5C646NLAFT1G faible sur les biens de rendement élevé de résistance

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Number modèle :NVMFS5C646NLAFT1G
Point d'origine :Multi-origine
Quantité d'ordre minimum :1
Conditions de paiement :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :999999
Délai de livraison :1-7days
Détails de empaquetage :Norme
Type de produit :L'électronique de puissance de transistor MOSFET
Fabricant :onsemi
Fabricant Product Number :NVMFS5C646NLAFT1G
Description :Transistor MOSFET N-CH 60V 20A/93A 5DFN
Fabricant Standard Lead Time :1-7days
Description détaillée :N-canal 60 V 20A (ventres), 93A (comité technique) 3.7W (merci), 79W (comité technique) bâti 5-DFN (
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Électronique de puissance MOSFET NVMFS5C646NLAFT1G

Description du produit:

Le MOSFET Power Electronics NVMFS5C646NLAFT1G est un module électronique de puissance MOSFET à canal N avec une tension de fonctionnement de 20 V et une tension drain-source maximale de 30 V.Ce module présente une faible tension de seuil de grille et une faible capacité d'entrée, ce qui en fait un choix idéal pour les applications d'électronique de puissance.Le module est équipé d'une diode source-drain intégrée à faible résistance et peut gérer jusqu'à un courant nominal continu de 5A.

Caractéristiques du produit:


• Module d'électronique de puissance MOSFET à canal N
• Tension de fonctionnement : 20 V
• Tension drain-source maximale : 30 V
• Tension de seuil de grille basse
• Faible capacité d'entrée
• Diode source-drain intégrée à faible résistance
• Courant nominal continu : 5 A

État du produit
Actif
Type FET
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain à source (Vdss)
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4,7 mOhms à 50 A, 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
33,7 nC à 10 V
Vg (Max)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2164 pF à 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (maximale)
3,7 W (Ta), 79 W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Ensemble d'appareils du fournisseur
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paquet/caisse
Numéro de produit de base

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