Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.
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Électronique de puissance MOSFET NVMFS5113PLT1G
Description : NVMFS5113PLT1G est un appareil d'électronique de puissance MOSFET.Il s'agit d'un transistor de puissance, un type de transistor à effet de champ métal-oxyde-semi-conducteur (MOSFET) qui peut être utilisé pour contrôler le flux de courant électrique dans les circuits.
Caractéristiques:
• Robuste et fiable
• Faible résistance et faible charge de grille
• Faible capacité de sortie
• Vitesses de commutation rapides
• Faible tension de seuil grille-source
• Faible capacité grille-drain
• Dissipation de puissance élevée
• Capacité de gestion de courant élevée
• Fonctionnement à haute température
Applications:
• Contrôle moteur
• Gestion de l'alimentation
• Alimentation CC
• Circuits onduleurs
• Circuits du chargeur de batterie
• Alimentations à découpage
• Régulation de tension
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État du produit
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Actif
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Type FET
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Technologie
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MOSFET (oxyde métallique)
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Tension drain à source (Vdss)
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Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C
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Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
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4.5V, 10V
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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14 mOhms à 17 A, 10 V
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Vgs(th) (Max) @ Id
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2,5 V à 250 µA
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Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
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83 nC à 10 V
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Vg (Max)
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±20V
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Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
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4400 pF à 25 V
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Fonction FET
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-
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Dissipation de puissance (maximale)
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3,8 W (Ta), 150 W (Tc)
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Température de fonctionnement
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-55°C ~ 175°C (TJ)
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Type de montage
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Ensemble d'appareils du fournisseur
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5-DFN (5x6) (8-SOFL)
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Paquet/caisse
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Numéro de produit de base
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