Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Fiabilité élevée de faible perte de puissance élevée de transistor de FDMS86250 Mosfet

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Ville:shenzhen
Pays / Région:china
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Fiabilité élevée de faible perte de puissance élevée de transistor de FDMS86250 Mosfet

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Number modèle :FDMS86250
Point d'origine :Multi-origine
Quantité d'ordre minimum :1
Conditions de paiement :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :999999
Délai de livraison :1-7days
Détails de empaquetage :Norme
Type de produit :L'électronique de puissance de transistor MOSFET
Fabricant :onsemi
Fabricant Product Number :FDMS86250
Description :Transistor MOSFET N-CH 150V 6.7A/20A 8PQFN
Fabricant Standard Lead Time :1-7days
Description détaillée :N-canal 150 V 6.7A (ventres), 20A (comité technique) 2.5W (merci), 96W (comité technique) bâti 8-PQF
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Électronique de puissance MOSFET FDMS86250

Le FDMS86250 est un dispositif électronique de puissance MOSFET conçu pour fournir des performances élevées et un fonctionnement fiable dans une large gamme d'applications.Il offre une résistance à l'état passant extrêmement faible, une vitesse de commutation rapide et d'excellentes performances de température.Il est optimisé pour une utilisation dans les applications de commutation à haute fréquence et peut gérer des courants jusqu'à 25 A.

Caractéristiques:


- Conception de cellule haute densité avec une faible résistance à l'état passant
- Vitesse de commutation rapide
- Excellentes performances de température
- Faible charge à la porte
- Capacité de courant élevée
- Faible capacité drain-source
- Conforme RoHS
- Sans halogène

Applications:


- Convertisseurs DC-DC
- Commutation haute fréquence
- Applications automobiles
- Alimentations industrielles
- Chargeurs de batterie
- Systèmes d'éclairage
- Contrôle moteur
- Systèmes d'énergie solaire

État du produit
Actif
Type FET
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain à source (Vdss)
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
25 mOhms à 6,7 A, 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC à 10 V
Vg (Max)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2330 pF à 75 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (maximale)
2,5 W (Ta), 96 W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Ensemble d'appareils du fournisseur
8-PQFN (5x6)
Paquet/caisse
Numéro de produit de base

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