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Électronique de puissance MOSFET FDD86102
Le FDD86102 est un dispositif électronique de puissance MOSFET conçu pour fournir une conversion de puissance à haut rendement.Il présente une faible résistance à l'état passant et une faible charge de grille pour une alimentation électrique supérieure.Le dispositif est construit avec un boîtier à profil bas et thermiquement amélioré et convient à une utilisation dans une variété d'applications.
Caractéristiques:
• Faible résistance à l'état passant - RDS(on) : 2,2 mOhm (max)
• Charge de grille faible - Qg : 11,5 nC (max)
• Ensemble à profil bas et thermiquement amélioré
• Sans halogène et conforme RoHS
• Convient pour une conversion de puissance à haut rendement
• Fonctionnement haute tension - VDS : 100 V (max)
• Fonctionnement à courant élevé - ID : 30 A (max)
État du produit
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Actif
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Type FET
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Technologie
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MOSFET (oxyde métallique)
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Tension drain à source (Vdss)
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Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C
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Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
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6V, 10V
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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24 mOhms à 8 A, 10 V
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Vgs(th) (Max) @ Id
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4V @ 250µA
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Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
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19 nC à 10 V
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Vg (Max)
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±20V
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Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
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1035 pF à 50 V
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Fonction FET
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-
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Dissipation de puissance (maximale)
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3,1 W (Ta), 62 W (Tc)
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Température de fonctionnement
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Type de montage
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Ensemble d'appareils du fournisseur
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TO-252AA
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Paquet/caisse
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Numéro de produit de base
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