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Électronique de puissance MOSFET NTFFS5116PLTAG
L'électronique de puissance MOSFET NTFFS5116PLTAG est un dispositif semi-conducteur de puissance haute performance conçu pour être utilisé dans une variété d'applications.Il présente une faible résistance à l'état passant, une vitesse de commutation élevée et de bonnes caractéristiques de gestion thermique.Cet appareil convient à une utilisation dans une variété de topologies de puissance, y compris les convertisseurs abaisseurs, les convertisseurs élévateurs, les convertisseurs en demi-pont et les convertisseurs en pont complet.
Caractéristiques:
• Faible résistance à l'état passant : RDS(On) = 0,091 ohms
• Vitesse de commutation élevée : tF/tR = 6,5/6,5 nsec
• Capacité de courant de crête élevée : IDSM = 11,9 A
• Faible charge de grille : Qg = 10,5 nC
• Faible résistance thermique : RθJC = 0,71°C/W
• Boîtier standard TO-220
• Sans plomb, conforme RoHS
État du produit
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Actif
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Type FET
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Technologie
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MOSFET (oxyde métallique)
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Tension drain à source (Vdss)
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Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C
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Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
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4.5V, 10V
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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52 mOhms à 6 A, 10 V
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Vgs(th) (Max) @ Id
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3V @ 250µA
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Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
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25 nC à 10 V
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Vg (Max)
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±20V
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Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
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1258 pF à 30 V
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Fonction FET
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-
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Dissipation de puissance (maximale)
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3,2 W (Ta), 40 W (Tc)
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Température de fonctionnement
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-55°C ~ 175°C (TJ)
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Type de montage
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Ensemble d'appareils du fournisseur
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8-WDFN (3.3x3.3)
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Paquet/caisse
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Numéro de produit de base
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