Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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NTTFS5116PLTAG Transistor Mosfet Haute Performance Et Fiabilité

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NTTFS5116PLTAG Transistor Mosfet Haute Performance Et Fiabilité

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Number modèle :NTTFS5116PLTAG
Point d'origine :Multi-origine
Quantité d'ordre minimum :1
Conditions de paiement :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :999999
Délai de livraison :1-7days
Détails de empaquetage :Norme
Type de produit :L'électronique de puissance de transistor MOSFET
Fabricant :onsemi
Fabricant Product Number :NTTFS5116PLTAG
Description :Transistor MOSFET P-CH 60V 5.7A 8WDFN
Fabricant Standard Lead Time :1-7days
Description détaillée :P-canal 60 V 5.7A (ventres) 3.2W (merci), 40W (comité technique) bâti 8-WDFN (3.3x3.3) de la surface
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Électronique de puissance MOSFET NTFFS5116PLTAG

L'électronique de puissance MOSFET NTFFS5116PLTAG est un dispositif semi-conducteur de puissance haute performance conçu pour être utilisé dans une variété d'applications.Il présente une faible résistance à l'état passant, une vitesse de commutation élevée et de bonnes caractéristiques de gestion thermique.Cet appareil convient à une utilisation dans une variété de topologies de puissance, y compris les convertisseurs abaisseurs, les convertisseurs élévateurs, les convertisseurs en demi-pont et les convertisseurs en pont complet.

Caractéristiques:

• Faible résistance à l'état passant : RDS(On) = 0,091 ohms
• Vitesse de commutation élevée : tF/tR = 6,5/6,5 nsec
• Capacité de courant de crête élevée : IDSM = 11,9 A
• Faible charge de grille : Qg = 10,5 nC
• Faible résistance thermique : RθJC = 0,71°C/W
• Boîtier standard TO-220
• Sans plomb, conforme RoHS

État du produit
Actif
Type FET
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain à source (Vdss)
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
52 mOhms à 6 A, 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC à 10 V
Vg (Max)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1258 pF à 30 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (maximale)
3,2 W (Ta), 40 W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Ensemble d'appareils du fournisseur
8-WDFN (3.3x3.3)
Paquet/caisse
Numéro de produit de base

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