Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Commutateurs électriques à grande vitesse de rendement élevé du tube FDMC4435BZ de transistor MOSFET

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Ville:shenzhen
Pays / Région:china
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Commutateurs électriques à grande vitesse de rendement élevé du tube FDMC4435BZ de transistor MOSFET

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Number modèle :FDMC4435BZ
Point d'origine :Multi-origine
Quantité d'ordre minimum :1
Conditions de paiement :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :999999
Délai de livraison :1-7days
Détails de empaquetage :Norme
Type de produit :L'électronique de puissance de transistor MOSFET
Fabricant :onsemi
Fabricant Product Number :FDMC4435BZ
Description :Transistor MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP
Fabricant Standard Lead Time :1-7days
Description détaillée :P-canal 30 V 8.5A (ventres), 18A (comité technique) 2.3W (merci), 31W (comité technique) bâti 8-MLP
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L'électronique de puissance de transistor MOSFET du semi-conducteur FDMC4435BZ de Fairchild

 

Caractéristiques :


• Basse Sur-résistance
• Basse capacité d'entrée
• L'énergie simple d'avalanche d'impulsion a évalué
• 100% UIS examiné
• Facilité de la parallélisation
• Commutation rapide
• Finition sans plomb/Rohs conforme

 

Applications :


• Convertisseurs de DC-DC
• Contrôle de moteur
• Alimentations d'énergie non interruptible
• Des véhicules à moteur
• Commutation de rendement élevé
• Gestion de batterie
• Mâle, poussée et convertisseurs d'isolement

 

Caractéristiques :


• Tension de Drain-source (Vdss) : 40V
• Tension de Porte-source (Vgs) : ±20V
• Actuel - drain continu (identification) (à Vgs=10V) : 40A
• Identification de RdsOn (maximum) @, Vgs : 8 mOhm @ 20A, 10V
• Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds : 3700pF @ 25V
• Puissance - maximum : 130W

 

 

Statut de produit
Actif
Type de FET
Technologie
Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vidangez à la tension de source (Vdss)
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs
20mOhm @ 8.5A, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs
46 OR @ 10 V
Vgs (maximum)
±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds
2045 PF @ 15 V
Caractéristique de FET
-
Dissipation de puissance (maximum)
2.3W (merci), 31W (comité technique)
Température de fonctionnement
-55°C | 150°C (TJ)
Montage du type
Paquet de dispositif de fournisseur
8-MLP (3.3x3.3)
Paquet/cas
Nombre bas de produit

 

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