Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Le bas de haute performance du tube FDMC8882 de transistor MOSFET sur des vitesses de commutation rapides de résistance

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Le bas de haute performance du tube FDMC8882 de transistor MOSFET sur des vitesses de commutation rapides de résistance

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Number modèle :FDMC8882
Point d'origine :Multi-origine
Quantité d'ordre minimum :1
Conditions de paiement :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :999999
Délai de livraison :1-7days
Détails de empaquetage :Norme
Type de produit :L'électronique de puissance de transistor MOSFET
Fabricant :onsemi
Fabricant Product Number :FDMC8882
Description :Transistor MOSFET N-CH 30V 10.5A/16A 8MLP
Fabricant Standard Lead Time :1-7days
Description détaillée :N-canal 30 V 10.5A (ventres), 16A (comité technique) 2.3W (merci), 18W (comité technique) bâti 8-MLP
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Électronique de puissance MOSFET FDMC8882

Le FDMC8882 est un dispositif MOSFET de puissance hautes performances et polyvalent de Fairchild Semiconductor.Avec une tension de claquage de 60 V, cet appareil est idéal pour une utilisation dans des applications haute tension telles que l'automobile, l'industrie et le médical.Il présente une faible résistance à l'état passant de 0,045 Ω, des vitesses de commutation rapides et de faibles capacités.Ce dispositif offre également une faible charge de grille, minimisant ainsi les pertes de commutation.

Caractéristiques:


• Tension de claquage : 60 V
• Résistance à l'activation : 0,045 Ω
• Faible charge à l'entrée
• Faibles capacités
• Vitesses de commutation rapides
• Haute performance
• Polyvalent
• Idéal pour les applications automobiles, industrielles et médicales

État du produit
Actif
Type FET
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain à source (Vdss)
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14,3 mOhms à 10,5 A, 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id
2,5 V à 250 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC à 10 V
Vg (Max)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
945 pF à 15 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (maximale)
2,3 W (Ta), 18 W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Ensemble d'appareils du fournisseur
8-MLP (3.3x3.3)
Paquet/caisse
Numéro de produit de base

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