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FDMS7660AS N-Channel 30V 82A MOSFET rectifié synchrone 8-PQFN pour les applications d'électronique de puissance à haut rendement
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pluie à tension source (Vdss)
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Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C
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Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
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4.5V, 10V
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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2,4 mOhms à 25 A, 10 V
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Vgs(th) (Max) @ Id
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3V @ 1mA
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Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
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90 nC à 10 V
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Vg (Max)
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±20V
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Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
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6120 pF à 15 V
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Fonction FET
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-
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Dissipation de puissance (maximale)
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2,5 W (Ta), 83 W (Tc)
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Température de fonctionnement
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Type de montage
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Ensemble d'appareils du fournisseur
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8-PQFN (5x6)
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Paquet/caisse
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ON Semiconductor FDMS7660AS MOSFET de puissance canal N, 8-PQFN
Description du produit:
Le FDMS7660AS est un MOSFET de puissance à canal N conçu pour fournir un rendement élevé et de faibles pertes de puissance dans les applications de conversion et de commutation de puissance.Cet appareil est proposé dans un boîtier 8-PQFN et présente une tension drain-source maximale de 600 V, un courant de drain maximal de 12 A et une charge de grille maximale de 90 nC.
Caractéristiques:
• MOSFET de puissance canal N
• Tension drain-source maximale : 600 V
• Courant de drain maximal : 12 A
• Charge de porte maximale : 90 nC
• Colis : 8-PQFN
