Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.
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Électronique de puissance MOSFET IRF6665TRPBF
Low-RDS(on) hautes performances pour une efficacité améliorée
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Type FET
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Technologie
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MOSFET (oxyde métallique)
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Tension drain à source (Vdss)
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Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C
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Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
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10V
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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62 mOhms à 5 A, 10 V
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Vgs(th) (Max) @ Id
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5V @ 250µA
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Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
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13 nC à 10 V
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Vg (Max)
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±20V
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Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
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530 pF à 25 V
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Fonction FET
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-
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Dissipation de puissance (maximale)
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2,2 W (Ta), 42 W (Tc)
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Température de fonctionnement
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-40°C ~ 150°C (TJ)
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Type de montage
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Ensemble d'appareils du fournisseur
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DIRECTFET™ SH
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Paquet/caisse
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Description du produit:
L'IRF6665TRPBF est un MOSFET de puissance d'IRF Technologies.Ce MOSFET à canal N est conçu pour gérer jusqu'à 55 volts et a une faible résistance à l'état passant de 3,2 milliohms.Le courant de drain maximal est de 55 ampères, tandis que la dissipation de puissance maximale est de 740 watts.L'appareil est emballé dans un boîtier TO-220AB.
Paramètres du produit :
- Type : MOSFET canal N
- Tension : 55V
- Résistance à l'allumage : 3,2 milliohms
- Courant de drain maximal : 55 ampères
- Dissipation de puissance maximale : 740 watts
- Colis : TO-220AB
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