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IRF840STRLPBF MOSFET Électronique de puissance Canal N 500 V D²PAK TO-263
Type FET
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Technologie
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MOSFET (oxyde métallique)
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Tension drain à source (Vdss)
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Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C
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Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
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10V
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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850 mOhms à 4,8 A, 10 V
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Vgs(th) (Max) @ Id
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4V @ 250µA
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Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
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63 nC à 10 V
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Vg (Max)
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±20V
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Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
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1300 pF à 25 V
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Fonction FET
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-
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Dissipation de puissance (maximale)
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3,1 W (Ta), 125 W (Tc)
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Température de fonctionnement
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Type de montage
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Ensemble d'appareils du fournisseur
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D²PAK (TO-263)
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Paquet/caisse
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Description du produit:
Le MOSFET IRF840STRLPBF est un MOSFET à canal N qui offre une commutation à grande vitesse et une faible résistance à l'état passant.Ce MOSFET est conçu pour être utilisé dans des applications de commutation haute tension et haute vitesse.
Paramètres du produit :
• Tension drain-source (VDS) : 500 V
• Tension porte-source (VGS) : ± 20 V
• Courant de drain continu (ID) : 8 A
• Résistance à l'état passant (RDS(on)) : 0,065 Ω
• Dissipation de puissance (PD) : 0,85 W
• Polarité : canal N
• Plage de températures de fonctionnement : -55 °C à 175 °C
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