Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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IRF840STRLPBF MOSFET Electronique de Puissance Canal N 500 V D²PAK TO-263

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IRF840STRLPBF MOSFET Electronique de Puissance Canal N 500 V D²PAK TO-263

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Number modèle :IRF840STRLPBF
Point d'origine :Original
Quantité d'ordre minimum :1
Conditions de paiement :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :999999
Délai de livraison :1-3 jours
Détails de empaquetage :Norme
Tension de Drain-source (VDS) :500V
Tension de Porte-source (VGS) :±20V
Courant continu de drain (identification) :8A
Sur-résistance (le RDS (dessus)) :0.065Ω
Dissipation de puissance (palladium) :0.85W
Polarité :N-canal
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IRF840STRLPBF MOSFET Électronique de puissance Canal N 500 V D²PAK TO-263

Type FET
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain à source (Vdss)
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
850 mOhms à 4,8 A, 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
63 nC à 10 V
Vg (Max)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1300 pF à 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (maximale)
3,1 W (Ta), 125 W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Ensemble d'appareils du fournisseur
D²PAK (TO-263)
Paquet/caisse

Description du produit:

Le MOSFET IRF840STRLPBF est un MOSFET à canal N qui offre une commutation à grande vitesse et une faible résistance à l'état passant.Ce MOSFET est conçu pour être utilisé dans des applications de commutation haute tension et haute vitesse.

Paramètres du produit :
• Tension drain-source (VDS) : 500 V
• Tension porte-source (VGS) : ± 20 V
• Courant de drain continu (ID) : 8 A
• Résistance à l'état passant (RDS(on)) : 0,065 Ω
• Dissipation de puissance (PD) : 0,85 W
• Polarité : canal N
• Plage de températures de fonctionnement : -55 °C à 175 °C

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IRF840STRLPBF MOSFET Electronique de Puissance Canal N 500 V D²PAK TO-263

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