Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Électronique de base Mosfet IRF840APBF pour une fiabilité et une efficacité accrues

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Électronique de base Mosfet IRF840APBF pour une fiabilité et une efficacité accrues

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Number modèle :IRF840APBF
Point d'origine :Original
Quantité d'ordre minimum :1
Conditions de paiement :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :999999
Délai de livraison :1-3 jours
Détails de empaquetage :Norme
Emballage :TO-220AB
Nombre de goupilles :3
Configuration :simple
Vidangez à la tension de source (Vdss) :500V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C :11A
Puissance - maximum :40W
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IRF840APBF MOSFET Électronique de puissance hautes performances pour une fiabilité et une efficacité améliorées

Type FET
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain à source (Vdss)
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
850 mOhms à 4,8 A, 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC à 10 V
Vg (Max)
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1018 pF à 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (maximale)
125W (TC)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Ensemble d'appareils du fournisseur
TO-220AB
Paquet/caisse

Paramètres:

Conditionnement : TO-220AB
Nombre de broches : 3
Configuration : Simple
Tension drain à source (Vdss) : 500 V
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C : 11A
Rds activé (max) à Id, Vgs : 10 mOhms à 8 A, 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id : 4V @ 250μA
Charge de grille (Qg) (Max) à Vgs : 28 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 790pF @ 25V
Puissance - Max : 40W
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : trou traversant
Polarité : canal N


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Électronique de base Mosfet IRF840APBF pour une fiabilité et une efficacité accrues
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