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IRF840APBF MOSFET Électronique de puissance hautes performances pour une fiabilité et une efficacité améliorées
Type FET
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Technologie
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MOSFET (oxyde métallique)
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Tension drain à source (Vdss)
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Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C
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Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
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10V
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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850 mOhms à 4,8 A, 10 V
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Vgs(th) (Max) @ Id
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4V @ 250µA
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Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
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38 nC à 10 V
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Vg (Max)
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±30V
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Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
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1018 pF à 25 V
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Fonction FET
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-
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Dissipation de puissance (maximale)
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125W (TC)
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Température de fonctionnement
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Type de montage
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Ensemble d'appareils du fournisseur
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TO-220AB
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Paquet/caisse
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Paramètres:
Conditionnement : TO-220AB
Nombre de broches : 3
Configuration : Simple
Tension drain à source (Vdss) : 500 V
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C : 11A
Rds activé (max) à Id, Vgs : 10 mOhms à 8 A, 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id : 4V @ 250μA
Charge de grille (Qg) (Max) à Vgs : 28 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 790pF @ 25V
Puissance - Max : 40W
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : trou traversant
Polarité : canal N
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