Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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AOD4189 MOSFET transistors d'électronique de puissance P canal 40V 2.5W montage en surface

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AOD4189 MOSFET transistors d'électronique de puissance P canal 40V 2.5W montage en surface

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Number modèle :AOD4189
Point d'origine :Original
Quantité d'ordre minimum :1
Conditions de paiement :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :999999
Délai de livraison :1 - 3 jours
Détails de empaquetage :Norme
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C :40A (comité technique)
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds :1870 PF @ 20 V
Paquet/cas :TO-252-3, DPak (2 avances + étiquettes), SC-63
Dissipation de puissance (maximum) :2.5W (merci), 62.5W (comité technique)
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ :3V @ 250µA
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs :22mOhm @ 12A, 10V
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Électronique de puissance MOSFET AOD4189

Transistors Canal P 40 V 40 A 2,5 W 62,5 W Montage en surface TO-252

Type FET
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain à source (Vdss)
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
22 mOhms à 12 A, 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
41 nC à 10 V
Vg (Max)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1870 pF à 20 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (maximale)
2,5 W (Ta), 62,5 W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Ensemble d'appareils du fournisseur
TO-252 (DPAK)
Paquet/caisse
Numéro de produit de base

Description générale

L'AOD4189 utilise une technologie et une conception de tranchée avancées pour fournir un excellent RDS(ON) avec une faible charge de grille.Grâce à l'excellente résistance thermique du boîtier DPAK, ce dispositif est bien adapté aux applications de charge à courant élevé.-Conforme RoHS -Sans halogène*

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