BSC070N10NS5 MOSFET Électronique de puissance Low Gate Charge N Channel Mosfet

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MOSFET canal N, BSC070N10NS5

Description du produit:

Le BSC070N10NS5 est un MOSFET à canal N haute vitesse et haute tension avec une faible résistance à l'état passant drain-source.Il présente une faible charge de grille, une faible capacité de sortie, des temps de commutation rapides et une faible charge grille-drain.Ce MOSFET est idéal pour une utilisation dans la commutation côté haut, les alimentations, les convertisseurs CC-CC et d'autres applications haute fréquence.

Caractéristiques:

- MOSFET canal N
- Commutation à grande vitesse
- Faible résistance drain-source à l'état passant
- Faible charge à la porte
- Faible capacité de sortie
- Temps de commutation rapides
- Faible charge grille-vidange

Caractéristiques:

- Numéro de pièce : BSC070N10NS5
- Configuration : canal N
- Tension Drain-Source (Vdss) : 700 V
- Tension grille-source (Vgs) : ± 20 V
- Courant de drain (Id) : 70 A
- Résistance drain-source à l'état passant (Rds) : 0,025 ohm
- Dissipation de puissance maximale

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