Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Puce de Cypress S34ML04G200BHI000 4Gb NAND Flash Integrated Circuit IC

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Puce de Cypress S34ML04G200BHI000 4Gb NAND Flash Integrated Circuit IC

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Number modèle :S34ML04G200BHI000
Point d'origine :Original
Quantité d'ordre minimum :1
Conditions de paiement :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :999999
Délai de livraison :1-7days
Détails de empaquetage :Norme
Type de mémoire :Non-volatile
Format de mémoire :ÉCLAIR
Technologie :ÉCLAIR - NON-ET
Capacité de la mémoire :4Gbit
Température de fonctionnement :-40°C | 85°C (VENTRES)
Montage du type :Bâti extérieur
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Puce de Cypress S34ML04G200BHI000 4Gb NAND Flash Integrated Circuit IC

 

Liste de produit :

 

Cellule à multiniveaux NAND Flash Memory de CYPRESS S34ML04G200BHI000 4Gb

 

Caractéristiques :

 

• 4Gb (512 mégohms X à 8 bits) NAND Flash Memory
• opération de la tension 3.3V
• Interface de centre serveur de SMBus
• JEDEC NAND Flash Interface standard
• NAND Data Protection robuste
• Vitesse de fonctionnement élevée
• Fiabilité élevée
• Consommation de puissance faible
• Résistance élevée
• Appuis ONFI 2,2 NAND Flash Features
• Les appuis basculent la RDA 1,0 NAND Flash Features
• CCE à 8 bits de soutiens
• Appuis Randomizer avec des données brouillant
• Le programme de soutiens/effacement suspendent
• Soutient la lecture/écriture de page partielle
• Soutient le programme de page partielle
• Programme/effacement de Multi-avion de soutiens
• Copie de page de soutiens de retour
• Imbrication de Multi-matrice de soutiens
• Mode de soutiens SLC/MLC/TLC
• Appuis jusqu'à l'imbrication 2-Die
• Appuis jusqu'à l'imbrication 4-Die
• Appuis jusqu'à l'imbrication 8-Die
• Gestion de dispositif de soutiens

 

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Puce de Cypress S34ML04G200BHI000 4Gb NAND Flash Integrated Circuit IC

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