Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Solution non volatile de mémoire de CY15B102Q-SXE IC Chip High Performance Low Power SRAM

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Solution non volatile de mémoire de CY15B102Q-SXE IC Chip High Performance Low Power SRAM

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Number modèle :CY15B102Q-SXE
Point d'origine :original
Quantité d'ordre minimum :1
Conditions de paiement :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :999999
Délai de livraison :1-3 jours
Détails de empaquetage :Norme
Organisation de mémoire :256K X 8
Tension - approvisionnement :2V | 3.6V
Opération 0°C | la température 85°C (comité technique) :-40°C ~ 125°C (TA)
Montage du type :Bâti extérieur
Paquet/cas :8-SOIC (0,209", largeur de 5.30mm)
Interface de mémoire :SPI
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Puce de la CY 15B102Q-SXE IC de solution non-volatile de basse puissance performante de mémoire de CYPRESS SRAM

 

CY15B102Q-SXE, publication périodique de Cypress NI mémoire instantanée

Caractéristiques du produit :
- 8 millions de bits (1 M X 8) mémoires périodiques NI instantanées
- 2.7V à la chaîne de tension d'alimentation de 3.6V VCC
- Temps rapide d'accès en lecture : 55/70/85/100/120/140/165/185ns
- -40°C à la chaîne de température de fonctionnement de +85°C
- 100 000 cycles de programme/effacement
- conservation des données 20-Year
- Option industrielle de température ambiante disponible
- Interfaces de SPI, de DSPI, de QSPI, et de DPI
- Options d'entrée-sortie de Multi-I/O et de quadruple
- Dispositifs de sécurité avancée

Paquet :
- 8-pin SOIC (150 mils)
- 8-pin VDFN (3.0x3.0mm)
- 8-pin WSON (6.0x5.0mm)


 
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