Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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La mémoire S29GL256P90TFIR10 instantanée ébrèche 56-TFSOP la technologie transformatrice instantanée de la page 90nm MirrorBit de Gbit 128Mbit 3V du paquet 1

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La mémoire S29GL256P90TFIR10 instantanée ébrèche 56-TFSOP la technologie transformatrice instantanée de la page 90nm MirrorBit de Gbit 128Mbit 3V du paquet 1

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Number modèle :S29GL256P90TFIR10
Point d'origine :original
Quantité d'ordre minimum :1
Conditions de paiement :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :999999
Délai de livraison :1 - 3 jours
Détails de empaquetage :Norme
Type de mémoire :Non-volatile
Format de mémoire :ÉCLAIR
Capacité de la mémoire :256 Mbits
Organisation de mémoire :32M x 8
Température de fonctionnement :-40°C | 85°C (VENTRES)
Tension - S 2.7V | 5.5Vupply :2.7V | 3.6V
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Puces de mémoire S29GL256P90TFIR10 instantanée

56-TFSOP technologie transformatrice instantanée de la page 90nm MirrorBit de Gbit 128Mbit 3V du paquet 1

 

 

 

 

Type de mémoire
Non-volatile
Format de mémoire
Technologie
ÉCLAIR - NI
Capacité de la mémoire
Organisation de mémoire
32M x 8
Interface de mémoire
Parallèle
Écrivez la durée de cycle - Word, page
90ns
Temps d'accès
90 NS
Tension - approvisionnement
2.7V | 3.6V
Température de fonctionnement
-40°C | 85°C (VENTRES)
Montage du type
Paquet/cas
Paquet de dispositif de fournisseur
56-TSOP

 

 

 

 

La description générale Cypress S29GL01G/512/256/128P sont Mirrorbit® les produits qu'instantanés ont fabriqué sur la technologie transformatrice de 90 nanomètre. Ces dispositifs offrent un temps d'accès rapide de page de 25 NS avec du temps à accès sélectif correspondant aussi rapidement que 90 NS. Ils comportent écrivent le tampon qui permet à un maximum de 32 octets words/64 d'être programmé dans une opération, ayant pour résultat un temps de programmation efficace plus rapide que des algorithmes de programmation standard. Ceci rend ces dispositifs idéaux pour les applications incluses d'aujourd'hui qui exigent une représentation plus à haute densité et meilleure et une consommation de puissance faible. Le  distinctif 3V simple de caractéristiques a lu/programme/effacement (V) le  2.7-3.6 a augmenté VersatileI/O™ pour commander – tous les niveaux saisie (adresse, contrôle, et des niveaux saisie de DQ) et sorties sont déterminés par tension sur l'entrée d'es. La gamme d'es est le  90 nanomètre MirrorBit de 1.65to VCC la page du  8 word/16-byte de technologie transformatrice que a lu le  32 word/64-byte de tampon écrivent le tampon réduit l'heure de programmation globale pour les mises à jour pluritermes

 

 

 

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La mémoire S29GL256P90TFIR10 instantanée ébrèche 56-TFSOP la technologie transformatrice instantanée de la page 90nm MirrorBit de Gbit 128Mbit 3V du paquet 1

 

 

 
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