Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Paquet des puces de mémoire instantanée de CY7C1061G30-10ZSXI 54-TSOP MÉMOIRE RAM statique à grande vitesse avec le code correcteur d'erreurs (CCE)

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Paquet des puces de mémoire instantanée de CY7C1061G30-10ZSXI 54-TSOP MÉMOIRE RAM statique à grande vitesse avec le code correcteur d'erreurs (CCE)

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Number modèle :CY7C1061G30-10ZSXI
Point d'origine :original
Quantité d'ordre minimum :1
Conditions de paiement :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :999999
Délai de livraison :1 - 3 jours
Détails de empaquetage :Norme
Type de mémoire :Non-volatile
Format de mémoire :SRAM
Capacité de la mémoire :16Mbit
Organisation de mémoire :1M x 16
Température de fonctionnement :-40°C | 85°C (VENTRES)
Tension - S 2.7V | 5.5Vupply :2.2V | 3.6V
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Puces de mémoire instantanée de CY7C1061G30-10ZSXI

Grande vitesse du paquet 54-TSOP MÉMOIRE RAM statique avec le code correcteur d'erreurs (CCE)

 

 

 

 

Type de mémoire
Volatil
Format de mémoire
Technologie
SRAM - Asynchrone
Capacité de la mémoire
Organisation de mémoire
1M x 16
Interface de mémoire
Parallèle
Écrivez la durée de cycle - Word, page
10ns
Temps d'accès
10 NS
Tension - approvisionnement
2.2V | 3.6V
Température de fonctionnement
-40°C | 85°C (VENTRES)
Montage du type
Paquet/cas
Paquet de dispositif de fournisseur
54-TSOP II

 

 

 

Caractéristiques


■Grande vitesse
tAA de ❐ = 10 ns/15 NS

 


Code correcteur d'erreurs inclus (CCE) pour de correction d'erreurs à bit unique [1, 2]
■Bas courants actifs et de réserve
❐ ICC = 90 mA de typique à 100 mégahertz
❐ ISB2 = 20 mA de typique

 


Gamme de tension d'opération : 1,65 V à 2,2 V, 2,2 V à 3,6 V, et
4,5 V à 5,5 V
■1,0 conservation de données de V
■entrées et sorties compatibles de logique de Transistor-transistor (TTL)
■Goupille d'indication des erreurs (ERREZ) pour indiquer 1 détection et correction d'erreur bit
■Disponible dans 48 la goupille sans Pb TSOP I, 54 goupille paquets de la boule VFBGA de TSOP II, et 48

 

 

 

 

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