Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Interface périphérique périodique très rapide de FM25C160 B-G Flash Memory Chips 8-SOIC

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Interface périphérique périodique très rapide de FM25C160 B-G Flash Memory Chips 8-SOIC

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Number modèle :FM25C160B-G
Point d'origine :original
Quantité d'ordre minimum :1
Conditions de paiement :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :999999
Délai de livraison :1 - 3 jours
Détails de empaquetage :Norme
Type de mémoire :Non-volatile
Format de mémoire :FRAM
Capacité de la mémoire :16Kbit
Organisation de mémoire :2K X 8
Température de fonctionnement :-40°C | 85°C (VENTRES)
Tension - S 2.7V | 5.5Vupply :4.5V | 5.5V
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Interface périphérique périodique très rapide de paquet de FM25C160 B-G Flash Memory Chips 8-SOIC (SPI)

 

Type de mémoire
Non-volatile
Format de mémoire
Technologie
FRAM (RAM ferroélectrique)
Capacité de la mémoire
Organisation de mémoire
2K X 8
Interface de mémoire
SPI
Fréquence du signal d'horloge
20 mégahertz
Écrivez la durée de cycle - Word, page
-
Tension - approvisionnement
4.5V | 5.5V
Température de fonctionnement
-40°C | 85°C (VENTRES)
Montage du type
Paquet/cas
Paquet de dispositif de fournisseur
8-SOIC
 

 

 

 

Caractéristiques

 


mémoire 16-Kbit à accès sélectif ferroélectrique (F-RAM) logiquement
organisé en tant que 2K × 8
la Haut-résistance 100 trillion de ❐ (1014) a indiqué/écrit
❐ conservation de 151 données d'an (voir la conservation et la résistance de données
à la page 12)
Le ❐ NoDelay™ écrit
Processus ferroélectrique de haut-fiabilité avancée de ❐

 


Interface périphérique périodique très rapide (SPI)
❐ jusqu'à 20 mégahertz de fréquence
Le ❐ dirigent le remplacement de matériel pour l'éclair périodique et l'EEPROM
Le ❐ soutient le mode 0 (0, 0) de SPI et le mode 3 (1, 1)

 


Sophistiqué écrivez le plan de protection
Protection de matériel de ❐ utilisant la goupille de la protection contre l'écriture (wp)
La protection des logiciels de ❐ utilisant écrivent l'instruction de débronchement
Protection de bloc de logiciel de ❐ pour 1/4, 1/2, ou rangée entière

 


Consommation de puissance faible
 du ❐ 250 un courant actif à 1 mégahertz
courant de réserve du  A (type) du ❐ 4

 


Opération de tension : VDD = 4,5 V à 5,5 V
■La température industrielle : – 40  C à +85  C
■petit paquet du circuit intégré d'ensemble de 8 bornes (SOIC)
■Restriction des substances dangereuses (RoHS) conformes

 

 

 

 

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Interface périphérique périodique très rapide de FM25C160 B-G Flash Memory Chips 8-SOIC

 

 

 
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