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Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Ville:shenzhen

Pays / Région:china

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Performance instantanée de Chips Voltage 3V de la mémoire W631GG6MB-11 haute

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Numéro de modèle :W631GG6MB-11

Point d'origine :original

Quantité d'ordre minimum :1

Conditions de paiement :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram

Capacité d'approvisionnement :999999

Délai de livraison :1 - 3 jours

Détails de empaquetage :Norme

Mfr :L'électronique de Winbond

Type de mémoire :Volatil

Format de mémoire :DRACHME

Technologie :SDRAM-DDR3

Capacité de la mémoire :1Gbit

Organisation de mémoire :64M x 16

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Stockage de données de Chips High Performance For Faster de la mémoire W631GG6MB-11 instantanée

 
Description de produit :
 
Cette puce de mémoire W631GG6MB-11 instantanée est une solution performante et rentable pour des applications incluses. Elle comporte un 6MB de mémoire périodique NI instantanée et d'une fréquence d'horloge maximum de 66MHz. Elle vient avec une tension du fonctionnement 3V et la tension de l'entrée-sortie 1.8V/3V. Le dispositif également soutient SPI, conjugue/quadruple SPI, et protocoles de QPI.
 
Paramètres de produit :
 
- Capacité : 6MB
- La fréquence d'horloge maximum : 66MHz
- Tension d'opération : 3V
- Tension d'entrée-sortie : 1.8V/3V
- Protocoles soutenus : SPI, double/quadruple SPI, et QPI

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Performance instantanée de Chips Voltage 3V de la mémoire W631GG6MB-11 haute

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