Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Puissance élevée de transistor de puissance de SI1000-C-GM rf et largeur de bande d'efficacité grande

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Puissance élevée de transistor de puissance de SI1000-C-GM rf et largeur de bande d'efficacité grande

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Number modèle :SI1000-C-GM
Point d'origine :Multi-origine
Quantité d'ordre minimum :1
Conditions de paiement :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :99999
Délai de livraison :1-7days
Détails de empaquetage :Norme
Statut de produit :Obsolète
Type :TxRx + MCU
Famille/norme de rf :Général ISM < 1GHz
Protocole :EZRadioPro
Modulation :FSK, GFSK, OOK
Fréquence :240MHz | 960MHz
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Transistor de puissance de SI1000-C-GM rf

 

Caractéristiques :


• À gain élevé
• Figure à faible bruit
• Puissance de sortie élevée
• Représentation à bande large
• Dissipation à basse température
• Aucun circuits polarisés externes requis

Caractéristiques :
• Plage de fréquence : 1.8-2.7 gigahertz
• Gain en puissance : minute 12dB
• Puissance de sortie : 25W
• Chiffre de bruit : type 4dB
• Tension d'opération : 25V
• Actuel d'opération : 1A maximum
• Paquet : Bâti extérieur, TO-247

 

 

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