À gain élevé à faible bruit de haute performance de transistors de puissance de HMC536LP2E rf

À gain élevé à faible bruit de haute performance de transistor de puissance de HMC536LP2E rf

Transistor de puissance de HMC536LP2E

Description de produit :

Le HMC536LP2E est un amplificateur de puissance du pHEMT MMIC de GaAs qui fonctionne entre le C.C et 6 gigahertz. Cet amplificateur est conçu pour des applications telles que les radios point par point, les radios point-à-multipoint et le VSATs.

Caractéristiques :

• Gain : DB 14,5
• Puissance de sortie : dBm +28
• P1dB : dBm +26
• Chiffre de bruit : DB 3,2
• Vidangez l'efficacité : 20%
• Tension d'opération : +5V
• Impédance d'entrée-sortie : 50 ohms
• Température de fonctionnement : -40°C à +85°C

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