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Transistor de puissance de HMC406MS8GETR rf
Caractéristiques du produit :
- Opération à large bande de 0,1 à 6,0 gigahertz
- À gain élevé : DB 15,5 à 0,9 gigahertz
- Puissance à haute production : dBm 19,5 à 0,9 gigahertz
- Figure à faible bruit : DB 2,6 à 0,9 gigahertz
- Efficacité supplémentaire de puissance élevée : 34% à 0,9 gigahertz
- IP3 à haute production : dBm +27 à 0,9 gigahertz
- Basse consommation d'alimentation CC : 890 mW à 3V
- Fréquence de coupure à faible intensité de gain : Fc = 7,3 gigahertz
- De forte stabilité : °C +25 au °C +85
- Sans plomb, paquet conforme de RoHS
Applications :
- Applications d'amplificateur de puissance élevée
- Systèmes de communication à large bande
- Infrastructure sans fil
- Liaisons hertziennes point par point
- systèmes du Multi-transporteur GSM/EDGE
- Systèmes de W-CDMA/HSPA/LTE
Pourquoi achat de nous rapidement de >>>/sans risque/commodément
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