Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Haute fréquence et puissance de sortie du transistor de puissance de HMC406MS8GETR rf 5GHz

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Haute fréquence et puissance de sortie du transistor de puissance de HMC406MS8GETR rf 5GHz

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Number modèle :HMC406MS8GETR
Point d'origine :Multi-origine
Quantité d'ordre minimum :1
Conditions de paiement :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :99999
Délai de livraison :1-7days
Détails de empaquetage :Norme
Statut de produit :Actif
Fréquence :5GHz | 6GHz
P1dB :27dBm
Gain :17dB
Chiffre de bruit :6dB
Type de rf :WiMax, WLAN
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Transistor de puissance de HMC406MS8GETR rf

 

Caractéristiques du produit :


- Opération à large bande de 0,1 à 6,0 gigahertz
- À gain élevé : DB 15,5 à 0,9 gigahertz
- Puissance à haute production : dBm 19,5 à 0,9 gigahertz
- Figure à faible bruit : DB 2,6 à 0,9 gigahertz
- Efficacité supplémentaire de puissance élevée : 34% à 0,9 gigahertz
- IP3 à haute production : dBm +27 à 0,9 gigahertz
- Basse consommation d'alimentation CC : 890 mW à 3V
- Fréquence de coupure à faible intensité de gain : Fc = 7,3 gigahertz
- De forte stabilité : °C +25 au °C +85
- Sans plomb, paquet conforme de RoHS

 

Applications :


- Applications d'amplificateur de puissance élevée
- Systèmes de communication à large bande
- Infrastructure sans fil
- Liaisons hertziennes point par point
- systèmes du Multi-transporteur GSM/EDGE
- Systèmes de W-CDMA/HSPA/LTE

 

 

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