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Paquet 40-QFN de puissance faible de haute performance de transistors de puissance de CYW20719B1KUMLG rf
Statut de produit
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Pas pour de nouvelles conceptions
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Type
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TxRx + MCU
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Famille/norme de rf
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Bluetooth
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Protocole
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Bluetooth v5.0
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Modulation
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8DPSK, DQPSK, GFSK
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Fréquence
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2.4GHz
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Débit (maximum)
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3Mbps
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Puissance de sortie
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4dBm
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Sensibilité
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-95.5dBm
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Capacité de la mémoire
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1MB éclair, 2MB ROM, 512kB RAM
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Interfaces série
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² C, SPI, UART D'I
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GPIO
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40
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Tension - approvisionnement
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1.9V | 3.6V
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Actuel - recevant
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5.9mA
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Actuel - transmettant
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5.6mA | 20.5mA
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Température de fonctionnement
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-30°C | 85°C
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Montage du type
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Bâti extérieur
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Paquet/cas
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40-UFQFN a exposé la protection
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Paquet de dispositif de fournisseur
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40-QFN (5x5)
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Transistors de puissance de CYW20719B1KUMLG rf
Description de produit :
Le CYW20719B1KUMLG est un transistor de puissance de rf conçu pour des applications sans fil performantes. Il offre la tension claque élevée et la basse résistance de sur-état. Ce dispositif convient pour l'usage dans les applications comprenant le LAN sans fil, le Bluetooth, et les périphériques sans fil de PC.
Caractéristiques :
• Tension claque élevée
• Basse résistance de sur-état
• Approprié aux applications sans fil performantes, telles que le LAN sans fil, le Bluetooth et les périphériques sans fil de PC
• Compatible avec les circuits standard de CMOS, de TTL, et de PLL
• RoHS conforme
Caractéristiques :
• Tension de collecteur-émetteur maximum (VCE) : 100V
• Tension de collecteur-base maximum (VCB) : 150V
• Tension maximum d'Émetteur-base (VEB) : 7V
• Courant de collecteur maximum (IC) : 5A
• Dissipation de puissance maximum (palladium) : 25W
• Chaîne de température de fonctionnement : -40°C à 85°C
• Température ambiante de température de stockage : -40°C à 125°C