Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Transistor de la puissance élevée rf d'AD9361BBCZ

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Transistor de la puissance élevée rf d'AD9361BBCZ

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Number modèle :AD9361BBCZ
Point d'origine :Multi-origine
Quantité d'ordre minimum :1
Modalités de paiement :LC, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :99999
Délai de livraison :1-7days
Détails de empaquetage :Norme
Statut de produit :Actif
Type :TxRx seulement
Famille/norme de rf :Cellulaire
Protocole :LTE
Fréquence :70MHz | 6GHz
Puissance de sortie :8dBm
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Transistor de puissance d'AD9361BBCZ rf - fiabilité élevée de puissance élevée

 

L'AD9361BBCZ est un transistor de puissance de haute puissance et à haute efficacité du N-canal rf conçu pour l'usage dans la bande de 900 mégahertz ISM. Le dispositif comporte un grand choix de tension de porte et une excellente stabilité thermique. Il est idéal pour des applications telles que des amplificateurs de puissance de rf, des stations de base cellulaires et d'autres applications de communication sans fil.

 

Caractéristiques :

 

• Capacité de puissance élevée : Tacaud = 10 W
• Rendement élevé : jusqu'à 60%
• Grand choix de tension de porte : VGS = -3.5V à -20V
• Excellente stabilité thermique : R de variation maximum de DS (dessus) de 9% au-dessus de la température
• Basse charge de porte : Qg = 5.5nC
• Basse résistance thermique : Rthj-c = 1.5°C/W
• RoHS conforme
• options sans halogène de paquet

 

 

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