Coût d'instrumentation et classer la puissance faible optimisée 1.8-V 5.5-V au paquet 8-WSON

Caractéristiques
• Idéal pour la taille, le coût, et les conceptions conscientes de puissance
• Options sélectionnables de gain
– G = 10 ou G = 20 (INA350ABS)
– G = 30 ou G = 50 (INA350CDS)
• Ultra-petites options de paquet d'économie de l'espace
– 10 goupille X2QFN (COUVERTURE) – 3 mm2
– 8 goupille WSON (DSG) – 4 mm2
– 8 goupille SOT23-THN (DDF) – 4,64 mm2
• Représentation optimisée pour 10 mordus à 14 systèmes mordus
– CMRR : DB 95 (type) à travers tous les gains
– Tension excentrée : 0,2 systèmes mv (type) à travers tous les gains
– Gagnez l'erreur (type) :
• 0,05% pour G = 10 ; 0,06% pour G = 20
• 0,075% pour G = 30 ; 0,082% pour G = 50
• Largeur de bande : 100 kilohertz pour G = 10 (type)
• Conduit 500 PF à moins de 20% dépassent (le type)
• Courant tranquille optimisé : µA 100 (type)
• Option d'arrêt pour des applications conscientes de puissance
• Chaîne d'approvisionnement : 1,8 V (±0.9 V) à 5,5 V (±2.75 V)
• Température ambiante spécifique : – 40°C à 125°C

• Protection de batteriePourquoi achat de nous rapidement de >>>/sans risque/commodément
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L'amplificateur IC d'INA350ABSIDSGR ébrèche le coût d'instrumentation et classe la puissance faible optimisée 1.8-V 5.5-V au paquet 8-WSON

Statut de produit	Actif
Type d'amplificateur	Instrumentation
Nombre de circuits	1
Type de sortie	-
Taux de groupe	0.1V/µs
Largeur de bande de -3db	25 kilohertz
Actuel - polarisation d'entrée	1 PA
Tension - compensation d'entrée	µV 200
Actuel - approvisionnement	100µA
Actuel - sortie/Manche	20 mA
Tension - envergure d'approvisionnement (minute)	1,7 V
Tension - envergure d'approvisionnement (maximum)	5,5 V
Température de fonctionnement	-40°C \| 125°C (VENTRES)
Montage du type	Bâti extérieur
Paquet/cas	8-WFDFN a exposé la protection

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Puce programmable d'IC

Puce d'IC de circuit intégré

Unité de microcontrôleur de MCU

Puces d'IC de composants électroniques

Puces de mémoire instantanée

L'électronique de puissance de transistor MOSFET

Module d'alimentation d'IGBT

Transistor de diode d'IC

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