paquet op 8-SOIC d'ampère de puissance faible d'entrée-sortie de Rail-à-rail de 16-V 1-MHz

Caractéristiques
• entrée et sortie de Rail-à-rail
• Grande largeur de bande : 1.1-MHz GBW
• Bas courant tranquille : µA 120 par amplificateur
• Basse tension excentrée : µV ±300
• Basse dérive excentrée de tension : ±0.6 ΜV/°C
• À faible bruit : 28 nV/√Hz à 10 kilohertz
• Rejet élevé de commun-mode : DB 110
• Bas courant polarisé : PA ±10
• Taux de groupe élevé : 4,5 V/µs
• Approvisionnement large : ±1.35 V à ±8 V, 2,7 V à 16 V
• Représentation robuste d'EMIRR : DB 77 à 1,8 gigahertz

Applications
• Modules optiques
• Essai et mesure portatifs
• Macro unité par radio à distance (RRU)
• Unité de bande de base (BBU)
• Appareils

• Protection de batteriePourquoi achat de nous rapidement de >>>/sans risque/commodément
• SKL est un gardien courant et une société commerciale des composants électroniques. Notre succursale incluent la Chine, Hong Kong, Sigapore, Canada. Affaires, service, recrutement et information d'offre pour notre membre global.
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L'amplificateur IC de TLV9102IDR ébrèche le paquet op 8-SOIC d'ampère de puissance faible d'entrée-sortie de Rail-à-rail de 16-V 1-MHz

Statut de produit	Actif
Type d'amplificateur	Usage universel
Nombre de circuits	2
Type de sortie	Rail-à-rail
Taux de groupe	4.5V/µs
Produit de largeur de bande de gain	1,1 mégahertz
Actuel - polarisation d'entrée	PA 10
Tension - compensation d'entrée	µV 300
Actuel - approvisionnement	115µA (canaux x2)
Actuel - sortie/Manche	80 mA
Tension - envergure d'approvisionnement (minute)	2,7 V
Tension - envergure d'approvisionnement (maximum)	16 V
Température de fonctionnement	-40°C \| 125°C (VENTRES)
Montage du type	Bâti extérieur
Paquet/cas	8-SOIC (0,154", largeur de 3.90mm)
Paquet de dispositif de fournisseur	8-SOIC

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Puce programmable d'IC

Puce d'IC de circuit intégré

Unité de microcontrôleur de MCU

Puces d'IC de composants électroniques

Puces de mémoire instantanée

L'électronique de puissance de transistor MOSFET

Module d'alimentation d'IGBT

Transistor de diode d'IC

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