Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Conducteur IC For Automotive Applications de transistor MOSFET d'IC Chip High Performance Low Power de semi-conducteur d'IR2104PBF

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Conducteur IC For Automotive Applications de transistor MOSFET d'IC Chip High Performance Low Power de semi-conducteur d'IR2104PBF

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Number modèle :IR2104PBF
Point d'origine :Mulit-origine
Quantité d'ordre minimum :1
Conditions de paiement :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :999999
Délai de livraison :1-7days
Détails de empaquetage :Norme
Catégorie :Circuits intégrés (IC)
Nombre bas de produit :IR2104PBF
Type de porte :IGBT, transistor MOSFET de N-canal
Tension - approvisionnement :10V | 20V
Tension de logique - VIL, VIH :0.8V, 3V
Actuel - production maximale (source, évier) :210mA, 360mA
Type d'entrée :Non-inverser
Temps de hausse/automne (type) :100ns, 50ns
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Nom de produit : Puce d'IC de semi-conducteur d'IR2104PBF

 

Description de produit : L'IR2104PBF est un transistor MOSFET à haute tension et ultra-rapide de puissance et le conducteur d'IGBT avec le côté indépendant de ciel et terre a mis en référence des canaux de sortie. Ce conducteur est conçu pour conduire des transistors MOSFET et IGBTs de puissance dans la configuration latérale élevée qui fonctionne jusqu'à 600V. Il comporte une plage de fonctionnement à haute fréquence jusqu'à 20 kilohertz, capacité d'entraînement de données d'entrée mises en tampon, de porte 1A et temps de retard rapides de propagation.

 

Paramètres de produit :

 

• Tension d'opération : 4.5V à 18V
• Courant de sortie maximum : 1A
• Temps de montée : 20ns
• Temps de chute : 25ns
• Fréquence d'opération : 0.2MHz à 20MHz
• Logique d'entrée : 3.3V/5V TTL compatible
• Tension de sortie maximum : 600V
• Type de paquet : DIP-8

 

Conducteur IC For Automotive Applications de transistor MOSFET d'IC Chip High Performance Low Power de semi-conducteur d'IR2104PBF

 

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