Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Consommation de puissance faible de haute performance d'IC de puce de semi-conducteur d'IRS2301STRPBF

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Consommation de puissance faible de haute performance d'IC de puce de semi-conducteur d'IRS2301STRPBF

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Number modèle :IRS2301STRPBF
Point d'origine :Multi-origine
Quantité d'ordre minimum :1
Conditions de paiement :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :99999
Délai de livraison :1-7days
Détails de empaquetage :Norme
statut de produit :en stock
configuration de conducteur :demi pont
type de canal :Détaché
nombre de commandes :2
Type de porte :IGBT, transistor MOSFET de N-canal
Tension - alimentation d'énergie :5V | 20V
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Produit : Puce d'IC de semi-conducteur d'IRS2301STRPBF

 

Description :

 

La puce d'IC de semi-conducteur d'IRS2301STRPBF est un conducteur IC de porte conçu pour l'usage dans des applications du côté haut et du côté bas de conducteur de porte. Ce dispositif comporte une protection intégrée de lock-out de pompe et de sousvoltage de charge. La puce a également un arrêt thermique intégré, la protection de court-circuit de sortie, et une entrée de logique avec l'hystérésis.

 

Caractéristiques :


- Conducteur IC de porte pour des applications du côté haut et du côté bas
- Pompe de charge intégrée et protection de lock-out de sousvoltage
- Protection thermique intégrée de court-circuit d'arrêt et de sortie
- Entrée de logique avec l'hystérésis

Paquet : SOIC-8

Tension d'opération : 6V à 20V

Température de fonctionnement : -40℃ à +125℃

Tension de sortie : 1.2V à 20V

Courant de sortie : 1.5A

Retard de propagation : 850ns

Temps de hausse/automne : 200ns/400ns

Entrée de logique : 2.4V à 5.5V

Caractéristiques du produit :
• Gamme de tension d'opération : 10V à 600V
• Courant de sortie : 4A
• Gamme de température de fonctionnement : -40 à 125°C
• Dimensions : 6 x 6 millimètres
• Consommation de puissance faible
• Haute fréquence de changement
• Protection de court-circuit
• Immunité de bruit élevée
• Représentation élevée d'EMI/RFI
• Stabilité thermique élevée

 

 

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