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Haute tension d'IR21094STRPBF, conducteurs à grande vitesse de transistor MOSFET de puissance et d'IGBT Description L'IR 2109(4) (s) sont transis...
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SSC9522S a construit dans le circuit de flottement d'entraînement pour le haut transistor MOSFET latéral de puissance descriptions 1.General...
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Circuit intégré original IPT020N10N5ATMA1 de transistor MOSFET de puissance Description de produit Moins de parallélisation requise Dens...
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Résumé du produit des plaquettes épitaxales 4H-SiC Le développement rapide des véhicules électriques, des réseaux intelligents, des énergies renouvela......
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Aperçu de produit de circulateur de puissance élevée Bas circulateur optique de puissance élevée de la perte par insertion 780-1080 n...
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