Classifications de la SICMOSFET

du transistor MOSFET 4N-Channel plein de pont de la rangée MSCSM170HM23CT3AG module d'alimentation de transistor MOSFET sic 602W Description de...

IXFN56N90P 900V 56A SiC MOSFET bas Rds ((on) 65mΩ Commutation rapide à haute fréquence Corps robuste Diode à haute température Opération TO-264 Packag......

Transformateur auxiliaire d'entraînement de la porte 750319331 pour le SIC-transistor MOSFET et l'IGBT Caractéristiques : Capacité d'Interwinding...

Définition Les céramiques au nitrure de silicium présentent de nombreuses performances excellentes telles qu'une dureté élevée, une résistance élevée,......

Résumé deOvelles de graines de SiC Wafer de graines SiC 4H N type Dia 153 155 2 pouces-12 pouces personnalisé Utilisé pour la fabrication de...

6H-N Substrate/wafer SiC semi-isolateur pour MOSFET, JFET, BJT, large bande passante à haute résistivité Résumé du substrat SiC semi-isolateur/plaque......

W forment les éléments de chauffe de haute température sic, élément-four carbure de silicium jusqu'à 1400℃ Forme des éléments de chauffe de SIC : ......

Électronique de puissance MOSFET canal N FDV301N Le FDV301N est un MOSFET de puissance à canal N conçu pour les applications de commutation h...

Le carbure de silicium noir est utilisé comme réfractaire dans la production de céramique Définition: Pourquoi le carbure de silicium résiste-t-il......

Élément chauffant SiC de type M La tige de carbure de silicium de type M est disponible en différentes tailles et capacités pour répondre aux divers b......

Transistor MOSFET 200V 50A 300W de N-canal d'IRFP260NPBF par le trou TO-247AC RoHS conforme L'autre nom : 64-6005PBF Caractéristique l technologie ......

IRFP240, SiHFP240 Transistor MOSFET de puissance CARACTÉRISTIQUES • Estimation dynamique de dV/dt • Avalanche répétitive évaluée •...

Description du produit Spécification Code du produitPour les appareils à moteur électriqueTaux de transmission Wi-Fi 5G1000 Mbpsle processeurARM64...

Contrôle d'inverseur des conducteurs EV de porte ; IGBT et sic GDIC Attribut de produit Valeur d'attribut Attribut choisi...

La description générale de transistor MOSFET de double N-canal de HXY9926A 20V Le HXY9926A emploie la technologie avancée de fossé pour fournir à l......

Double transistor MOSFET de N-canal de HXY9926A 20V Description générale Le HXY9926A emploie la technologie avancée de fossé à fourniss...

fourneau de croissance de l'épitaxie pour le carbure de silicium (CVD SIC) Ces équipements sont utilisés pour le revêtement de carbure de silicium de......

Transistors MOSFET HiPerFET de puissance du transistor MOSFET 800V 27A 0,32 le RDS de la Manche d'IXFK27N80Q N Description Transistors MOSFET Q-C...

BÂTI D2PAK de SURFACE du TRANSISTOR 200V de TRANSISTOR MOSFET de CANAL d'IRF640NSTRLPBF N Les marchandises conditionnent : Tout neuf...

Transistor MOSFET de puissance du transistor IRLR7843TRPBF TO-252 30V 161A pour des télécom et l'usage industriel IRLR7843PbF IRLU7843PbF...