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Le système d'alimentation est équipé d'un système d'alimentation de type SPS.
Pour les appareils électroniques Le numéro de série L'IGBT La moitié. Le pont Module
IGBT, Invertisseur Nombre maximal Valeur nominale |
||||||
Nom de l'article |
Le symbole |
Conditions d'utilisation |
Valeur |
Unités |
||
集电极- émission de tension électrique Voltage collecteur-émetteur |
VCES |
Tvj = 25°C |
1700 |
V |
||
Le courant électrique continu Continuité DC courant du collecteur |
C.I. |
150 |
Une |
|||
集电极重复 le courant de pointe Le sommet répétitionle courant du collecteur |
MICR |
tp = 1 ms |
300 |
Une |
||
Perte de puissance totale Nombre total puissance dissipation |
Ptot |
TC= 25°C, Tvj = 175°C |
880 |
W |
||
Le niveau d'émission est supérieur au niveau de l'échantillon. Voltage maximal de l'émetteur de la porte |
VGES |
± 20 |
V |
|||
La température maximale Température maximale de jonction |
Je ne peux pas. |
175 |
°C |
|||
Les valeurs caractéristiques/ spécificité |
||||||
Nom de l'article |
Le symbole |
Conditions d'utilisation |
Min. type. max. |
Unités |
||
集电极- émission 极 和电压 Voltage de saturation du collecteur-émetteur |
VCE(assise) |
C.I.= 150 A, VGénérateur de tension |
- Je ne sais pas.= 25°C Tvj= 125°C Tvj = 150°C |
1.67 1.90 1.96 |
1.90 |
V V V |
极 值 tension électrique Voltage de seuil de sortie |
VGE (ème) |
C.I.= 17 mA, VPour la CE=VGénération génétique, Tvj = 25°C |
5.0 6.0 6.8 |
V |
||
- Il y a un problème. Porte charge |
Quartier général |
VGE=-15V...+15V |
0.86 |
uC |
||
Résistance électrique interne Porte intérieure résistance |
RGint |
Tvj = 25°C |
7.2 |
Oh |
||
Capacité d'entrée Capacité d'entrée |
- Je vous en prie. |
f=1 MHz, Tvj= 25°C, VPour la CE= 25V, VÉléments de chaleur |
12.6 |
NF |
||
Capacité de transmission inverse Capacité de transfert inverse |
Crédits |
f=1 MHz, Tvj= 25°C, VPour la CE=10V, VÉléments de chaleur |
0.20 |
NF |
||
集电极-发射极截止电流 Le flux électrique Émetteur-collecteur courant de coupure |
Le CIEM |
VCE=1700V, VGénération génétique=0V, Tvj= 25°C |
3.00 |
- Je ne sais pas |
||
- Je ne sais pas.-Le flux électrique de fuite Émetteur de porte fuite courant |
IGES |
VCE=0V, VGénération génétique= 20V, Tvj = 25°C |
400 |
nA |
||
开通延迟时间 Le temps est compté( charge électrique) Onction le temps de retard, inductive charge |
Td(sur) |
- Je ne sais pas.= 25°C Tvj= 125°C Tvj = 150°C |
326 339
345 |
ns ns ns |
||
Le temps augmente.( charge électrique) Il est l'heure de se lever. inductive charge |
- Je ne sais pas |
- Je ne sais pas.= 25°C Tvj= 125°C Tvj = 150°C |
106 118
126 |
ns ns ns |
||
关断延迟时间 Je suis désolé.( charge électrique) Temps de retard de déclenchement, inductive charge |
Td(éteint) |
C.I.= 150A, VCE = 900V VGE = ± 15V RGon = 5Ω RGoff = 5Ω
Inducteur Charge, |
- Je ne sais pas.= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C Tvj= 25°C Tvj = 125°C
Tvj = 150°C |
165 189
213 |
ns ns ns |
|
Il est temps de descendre.( charge électrique) À l'automne, inductive charge |
Tf |
757 924
950 |
ns ns ns |
|||
开通 损耗能量 Le débit de courant(Chaque impulsion) Onction énergie les pertes par le pouls |
Eon |
- Je ne sais pas.= 25°C Tvj= 125°C Tvj = 150°C |
47.1 58.9 63.7 |
MJ MJ |
||
关断 损耗 能(Chaque impulsion) Énergie d'arrêt les pertes par le pouls |
Je vous en prie. |
- Je ne sais pas.= 25°C Tvj= 125°C Tvj = 150°C |
31.2 39.9 42.5 |
MJ MJ |
||
短路 数据 SC données |
CSI |
VGE≤ 15 V, VCC = 1000V VCEmax=VLe CES- Je sais.SCE·di/dt, tp= 10 μs, Tvj = 150°C |
600 |
Une |
结-外 热阻 La chaleur résistance, jl'onction à cas |
Rle CJJ |
Pour - Je ne sais pas. Tout le monde.L'IGBT |
0.17 |
Nombre d'étoiles |
||
température de travail Température etle changement Les conditions |
Tvjop |
-40 150 |
°C |
|||
Diode, onduleur/ 二极管, inverseur Nombre maximal Valeur nominale/ valeur maximale déterminée |
||||||
Nom de l'article |
Le symbole |
Conditions d'utilisation |
Valeur |
Unités |
||
tension électrique de pointe inverse et répétitive Le sommet répétitif tension inversee |
VRRM |
Tvj= 25°C |
1700 |
V |
||
continu flux électrique Continuité DC pourcourant de la salle |
Je suis...F |
150 |
Une |
|||
Le courant électrique de pointe Le sommet courant avant répétitif |
Je suis...MFN |
tp= 1 ms |
300 |
Une |
||
Les valeurs caractéristiques/ spécificité |
||||||
Nom de l'article |
Le symbole |
Conditions d'utilisation |
Je ne sais pas. - Je sais. - Je vous en prie. |
Unités |
||
Voltage électrique Voltage avant |
VF |
Je suis...F= 150A |
Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C |
1.92 2.112.09 |
2.30 |
V V V |
Flux électrique de pointe de récupération inverse
Le sommet à l'envers récupération cle revenu |
Je suis...RM |
Je suis...F= 150A - Je vous en prie.FJe vous en prie.éteint= 2000 A/μs VR = 900 V
VGénération génétique= 15V |
Tvj= 25°C98 Tvj= 125°C 119
Tvj= 150°C 119 |
Une Une Une |
||
恢复电荷 (réservation de charge) Frais de recouvrement |
Q. Je vous en prie.R |
Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C |
21.4 36.7 42.0 |
uC uC uC |
||
Perte de récupération inverse (à chaque impulsion) En arrière récupération énergie (par pulcère) |
ERéc |
Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C |
10.6 19.5 21.9 |
MJ MJ MJ |
||
结-外 热阻 La chaleur résistance, jl'onction à cas |
Rle CJJ |
Par diode/ Chaque coup de foudre |
0.30 |
Nombre d'étoiles |
||
température de travail Température etle changement Les conditions |
Tvjop |
- Quarante 150 |
°C |
Module/ 模块 |
||||
Nom de l'article |
Le symbole |
Conditions d'utilisation |
Valeur |
Unités |
绝缘 test tension électrique Isolementtension d'essai |
VL'ISOL est |
RMS, f=50Hz, t=1min |
4.0 |
KV |
模块基板材料 Les matériaux de base Matériau de le module plaque de base |
- Je vous en prie. |
|||
内部绝缘 Il y a un problème. Le secteur privé isolation |
基本绝缘(classe 1, Je suis...CE 61140) Les produits de base isolation (classe 1, IEC 61140) |
Je vous en prie.2Je vous en prie.3 |
||
爬电距离 est une distance Cree distance de page |
端子-散热片/ terminal à hmanger l' évier 端子-端子/terminale à termineur |
17.0 20.0 |
mm |
|
电气间隙 Autorisation |
端子-散热片/ terminal à hmanger l' évier 端子-端子/terminale à termineur |
17.0 9.5 |
mm |
|
Indice de traces électriques Suivi comparatif indice |
CTI |
> 200 |
Nom de l'article |
Le symbole |
Conditions d'utilisation |
Je ne sais pas. |
- Je sais. |
- Je vous en prie. |
Unités |
杂散电感, module Détourné inductance le module |
LSCE |
30 |
nH |
|||
模块引脚电阻,端子 Le modèle est un module électrique.- Chips
Module Le plomb Résistance ,Les terminaux-Cla hanche |
RCC +EE RAA??+CC |
0.65 |
mΩ |
|||
Température de stockage
Temps de stockagela perature |
TSgt. |
- Quarante |
125 |
°C |
||
模块安装的安装扭距 Torque de montageUE pour le module montage |
M |
M6 |
3.00 |
5.00 |
Nm |
|
模块安装的安装扭距 Torque de montageUE pour le module montage |
M |
M5 |
2.50 |
5.00 |
Nm |
|
Le poids Le poids |
G |
160 |
g |