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IGBT discrète

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Jiangsu Solid Power Semiconductor Co.,Ltd

Ville:wuxi

Province / État:jiangsu

Pays / Région:china

Contact:MrZhou

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1200V 12mΩ Sic Puissance Mosfet discrète DS-SPS12MA12E4S personnalisé

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Numéro de modèle :SPS12MA12E4S, qui est un appareil électronique

Notation actuelle :40A

Charge de porte :120nC

Tension de seuil de porte :4V

Voltage d'isolation :2500V

sans plomb :Je suis désolé.

Mode de montage :À travers le trou

Résistance de Sur-état :0.015Ω

Type de colis :TO-247

Temps de rétablissement inverse :25ns

Conforme à la norme Rohs :- Oui, oui.

Temps de tenue de court-circuit :10 μs

fréquence de commutation :100 kHz

Plage de température :-40°C à 175°C

Rating de la tension :Pour les appareils électroniques

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Pour les appareils de commande électrique, la valeur de la valeur de la commande électrique doit être supérieure à:

Pour les appareils électroniques 12 mΩ SiC MOSFET

Caractéristiques:

□ Voltage de blocage élevé avec faible résistance d'allumage

□ Commutation à grande vitesse avec de faibles capacités

□ Diode intrinsèque rapide à faible récupération inverse (Qrr)

Typique Applications:

□ Inverteurs photovoltaïques

□ Piles de recharge

□ Systèmes de stockage de l'énergie

□ Énergie industrielle

□ Moteurs industriels

Nombre maximal Notes de crédit @Tc=25°C (à moins que Autrement spécifié)

Nom de l'article	Le symbole	Conditions d'utilisation	Les valeurs	Unité
Voltage de la source de vidange	VDSmax	Pour les appareils de traitement des ondes, la fréquence d'écoulement doit être supérieure ou égale à:	1200	V
Voltage de la porte de sortie	VGSop	Statique	-5/+20	V
Voltage maximal de la source de sortie	VGSmax	Statique	-8/+22	V
Courant de drainage continu	Identifiant	VGS = 20V, Tc = 25°C	214	Une
Courant de drainage continu	Identifiant	VGS = 20V, Tc = 100°C	151	Une
Courant de drainage pulsé	Identifiant (puls)	Largeur d'impulsion tp limitée par Tjmax	400	Une
Dissipation du pouvoir	PD	TC = 25°C, Tj = 175°C	938	W
Portée de jonction d'exploitation	Tj		-55 à +175	°C
Plage de température de stockage	Tstg		-55 à +175	°C

Électricité Caractéristiques @Tc=25°C (à moins que Autrement spécifié)

Nom de l'article	Le symbole	Conditions d'utilisation	Les valeurs Min. Je vous en prie. - Je ne peux pas.			Unité
Voltage de rupture de la source de drainage	V ((BR) DSS	Pour les appareils de traitement des ondes, la fréquence d'écoulement doit être supérieure ou égale à:	1200	-	-	V
Voltage de seuil de sortie	VGS (th)	VDS = VGS, ID = 40mA	2.0	2.7	3.5	V
Voltage de seuil de sortie	VGS (th)	Pour le calcul de la température de l'air, il est nécessaire de déterminer la température de l'air.	-	1.9	-	V
Courant d'évacuation de tension de la porte zéro	Résultats des tests	Le système de régulation de la tension doit être conforme à l'annexe V.	-	2	100	μA
Courant de fuite de la porte-source	IGSS	Le système de régulation de la tension doit être conforme à l'annexe V.	-	10	100	nA
Résistance à l' écoulement	RDS (allumé)	Pour les appareils de type VGA, la valeur de l'indicateur de tension doit être égale ou supérieure à:	-	12	20	mΩ
		Pour le calcul de la température de l'air, il est nécessaire de déterminer la température de l'air.	-	20	-
		Pour les appareils de type VGS, la valeur de l'indicateur de tension doit être égale ou supérieure à:	-	13	25
		Pour le calcul de la température de l'air, il est nécessaire de déterminer la température de l'air.	-	21	-
Transconductivité	GFs	Pour les appareils de commande électrique, la valeur de l'indicateur d'alimentation doit être égale ou supérieure à:	-	60	-	S
Transconductivité	GFs	Pour les appareils de traitement de l'air, la température maximale de l'air doit être égale ou supérieure à 20 °C.	-	52	-	S
Énergie de commutation d'allumage (FWD de la diode du corps)	Eon	L'utilisation de l'électronique est prévue pour les appareils électroniques à haute tension, y compris les appareils électroniques à haute tension.	-	5.2	-	MJ
Énergie de commutation de débranchement (FWD)	Je vous en prie.		-	3.7	-	MJ
Temps de retard d'activation	Td (en)	Pour les appareils de traitement des ondes, la fréquence d'écoulement doit être supérieure ou égale à 5 V.	-	24	-	ns
C' est l' heure de la montée	- Je ne sais pas		-	149	-
Temps de retard de débranchement	Td (arrêt)		-	145	-
Temps d'automne	Tf		-	49	-
Charge de passerelle à la source	Qgs	Pour les appareils de type VDS, la valeur maximale de l'indicateur de tension doit être égale ou supérieure à:	-	215	-	nC
Charge d'entrée à évacuation	Qgd		-	179	-
Tarif total de la passerelle	Qg		-	577	-
Capacité d'entrée	Ciss	Pour les appareils de commande électrique, la valeur de l'indicateur d'alimentation doit être égale ou supérieure à: f = 1 MHz VAC = 25 mV	-	8330	-	PF
Capacité de sortie	Coss		-	343	-
Capacité de transfert inverse	Crss		-	57	-
COSS Énergie stockée	- Je vous en prie.		-	217	-	μJ
Résistance de la porte interne	RG ((int)	Le système de régulation de la fréquence de l'électricité doit être utilisé pour la régulation de la fréquence de l'électricité.	-	0.8	-	Oh

En arrière Diode électrique Caractéristiques @Tc=25°C (à moins que Autrement spécifié)

Nom de l'article Le symbole		Conditions d'utilisation	Les valeurs Unité Min. Je vous en prie. - Je ne peux pas.
Voltage avant de diode	Le VSD	VGS=-5V, DSI=50A	-	4.7	7	V
Voltage avant de diode	Le VSD	Pour le calcul de la température de l'air, la température de l'air doit être supérieure ou égale à 5 V.	-	3.8	-	V
Courant de diode continue vers l'avant	Il est	VGS = 5V	-	214	-	Une
Temps de récupération inverse	trr	VGS = 5 V,	-	46	-	ns
Frais de recouvrement inversés	Qu' est-ce qui vous prend?	le nombre de points de contrôle de l'appareil	-	1	-	nC
Courant de récupération inverse de pointe	- Je ne sais pas.	Pour les appareils de traitement des ondes, la valeur de l'amplitude de la tension doit être supérieure ou égale à:	-	37	-	Une

En arrière Diode électrique Caractéristiques @Tc=25°C (à moins que Autrement spécifié)

Nom de l'article Le symbole		Conditions d'utilisation	Les valeurs Unité
Résistance thermique de la jonction au boîtier	RθJC		-	0.16	-	°C/W
Résistance thermique de la jonction à l'environnement	RθJA		-	32	-	°C/W

Performance typique

1200V 12mΩ Sic Puissance Mosfet discrète DS-SPS12MA12E4S personnalisé

Performance typique

Il s'agit d'un MOSFET à carbure de silicium (SiC) de 1200 V avec une résistance en état de marche de 12 milliohms (12mΩ).les rendant adaptés à des applications électroniques de puissance efficace telles que les convertisseurs haute fréquence et les véhicules électriques.

Le paquet Le schéma: Pour TO-247-4 litres

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