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IGBT discrète

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Jiangsu Solid Power Semiconductor Co.,Ltd

Ville:wuxi

Province / État:jiangsu

Pays / Région:china

Contact:MrZhou

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China Les modules de semi-conducteurs discrets à N-canal à 1500 V 3A MOSFET sont équipés de modules de semi-conducteurs discrets à puissance solide DS-SPS03NM15T3PH-S03040001 V-1.0 wholesale

Les modules de semi-conducteurs discrets à N-canal à 1500 V 3A MOSFET sont équipés de modules de semi-conducteurs discrets à puissance solide DS-SPS03NM15T3PH-S03040001 V-1.0

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Numéro de modèle :SPS03NM15T3PH

La configuration :Unique

Courant continu de drain (identification) :30A

tension de Drain-source (Vdss) :60 V

Tension de Porte-source (VGS) :+/- 20V

Capacité d'entrée (Ciss) :1900pF

Mode de montage :À travers le trou

Nombre de chaînes :Unique

Plage de température de fonctionnement :-55°C à +175°C

Capacité de sortie (coût) :400pF

Type de colis :TO-220AB

Dissipation de puissance (palladium) :75W

Rds On (Max) @ Id, Vgs :8.5 mOhm @ 30A, 10V

Capacité de transfert inverse (Crss) :300pF

Polarité de transistor :N-canal

Nom du produit :Les modules à semi-conducteurs discrets, la puissance à semi-conducteurs discrets, les industries à

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Le débit de l'électricité est supérieur ou égal à la puissance de l'électricité.0

Unité de régulation 3A N-canal MOS Discrète

Caractéristiques:

Un changement rapide
Faible résistance
Faible charge de la passerelle Minimiser les pertes de commutation
Diode du corps à récupération rapide

Typique Applications:

Adaptateur
Chargeur

Puissance de veille SMPS

Il s'agit d'un transistor à champ d'effet N-canal métal-oxyde-semiconducteur (MOSFET) discrète avec une tension nominale de 1500V et un courant nominale de 3A.Les MOSFET à canal N sont des dispositifs semi-conducteurs courants utilisés dans diverses applications électroniquesLe 1500V indique la tension maximale que l'appareil peut supporter, et le 3A représente le courant maximal qu'il peut gérer.Dans des applications spécifiques, un circuit d'entraînement et une dissipation de chaleur appropriés doivent être envisagés pour assurer la fiabilité et les performances du MOSFET.

Circuit électrique le schéma titre

Le paquet les contours

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