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Faibles pertes de commutation Module de transistor IGBT discret Infineon

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Province / État:jiangsu
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Faibles pertes de commutation Module de transistor IGBT discret Infineon

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Numéro de modèle :SPS40G12E3S: les pièces détachées
Capacité de l'émetteur collecteur :170 pF
La configuration :Unique
Collecteur de courant continu :50 A
Collecteur de courant pulsé :200 A
Charge de porte :80 nC
Mode de montage :À travers le trou
Plage de température de fonctionnement :-55 à 150 degrés Celsius
Type de colis :TO-247
Paquet/cas :TO-247-3
Temps de rétablissement inverse :50 ns
Polarité de transistor :N-canal
Émetteur de collecteur de tension :Pour les appareils électroniques
Émetteur de collecteur de tension Saturation max. :2,2 V
Émetteur de porte de tension seuil max :5 V
Nom du produit :Modules de transistors igbt, modules sic igbt, transistors igbt
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Pour les appareils à commande numérique, la valeur de la valeur de la commande numérique est la valeur de la valeur de la commande numérique.0

 

Pour les appareils électroniques 40A L'IGBT Discrète

 

Les appareils électroniques électroniques 

 

 

Généraux Définition  

 

Ils sont conçus pour des applications telles que les UPS industriels, les chargeurs, le stockage d'énergie,Invertisseur à chaîne solaire à trois niveaux, soudage, etc.

 

Faibles pertes de commutation Module de transistor IGBT discret Infineon

 

 

Caractéristiques:

▪ Technologie d'arrêt du champ de tranchée de 1200 V

 

▪ Diodes à roue libre à base de SiC SBD

 

▪ Moins de pertes lors de la commutation

 

▪ Faible coût des portes

 

 

Typique Applications:

▪ Le système d'onduleur industriel

 

▪ Le chargeur

 

▪ Stockage de l'énergie

 

▪ Invertisseur

 

▪ Soudage

 

 

Faibles pertes de commutation Module de transistor IGBT discret Infineon

Faibles pertes de commutation Module de transistor IGBT discret Infineon

IGBT IGBT

Caractéristique de sortie IGBT Caractéristique de sortie IGBT

IC=f (VCE),Tvj=25°C IC=f (VCE), Tvj=175°C

 

 

Faibles pertes de commutation Module de transistor IGBT discret Infineon

 

FRD IGBT

Caractéristique de sortie FRD Voltage de saturation du collecteur-émetteur IGBT

L'équipement doit être équipé d'un système de contrôle de l'équipement.

 

Faibles pertes de commutation Module de transistor IGBT discret Infineon

 

FRD IGBT

Voltage de saturation du collecteur et de l'émetteur FRD Voltage de seuil de la porte et de l'émetteur IGBT

Le nombre de points de contact est calculé en fonction de l'échantillon.

 

 

Faibles pertes de commutation Module de transistor IGBT discret Infineon

 

FRD IGBT

Caractéristique de sortie FRD Collecteur de courant IGBT

Si = f ((VF) IC = f ((TC)

VGE≥15V,Tvj≤175°C

 

 

 

Faibles pertes de commutation Module de transistor IGBT discret Infineon

Caractéristiques de la charge de la porte Caractéristiques de la capacité

La fréquence d'écoulement de l'appareil doit être supérieure ou égale à la fréquence de l'appareil.

Pour les appareils de commande électrique, la valeur de l'éclairage doit être supérieure ou égale à:

                                                                        

 Faibles pertes de commutation Module de transistor IGBT discret Infineon

 

IGBT IGBT

Temps de commutation IGBT

ts=f (IC), Tvj=25°C ts=f (IC), Tvj=175°C La température de l'eau est de

 

Faibles pertes de commutation Module de transistor IGBT discret Infineon

 

IGBT IGBT

Temps de commutation IGBT

Les émissions de dioxyde de carbone sont calculées à partir de l'échantillon de dioxyde de carbone.

La valeur de l'électricité utilisée est la valeur de l'électricité utilisée.

 

Faibles pertes de commutation Module de transistor IGBT discret Infineon

 

IGBT IGBT

Temps de commutation IGBT Perte de commutation IGBT

Le nombre de fois où les données sont utilisées est le nombre de fois où elles sont utilisées.

La puissance de compression est calculée en fonction de la puissance de compression de l'appareil.

 

Faibles pertes de commutation Module de transistor IGBT discret Infineon

 

IGBT IGBT

Perte de commutation IGBT Perte de commutation IGBT

E=f (IC) E=f (IC)

La puissance de combustion de l'électricité est calculée en fonction de l'intensité de la combustion.

 

Faibles pertes de commutation Module de transistor IGBT discret Infineon

 

IGBT IGBT

Perte de commutation IGBT Perte de commutation IGBT

E = f (RG) E = f (RG)

La valeur de l'électricité utilisée est la valeur de l'électricité utilisée pour la production de l'électricité.

 

  Faibles pertes de commutation Module de transistor IGBT discret Infineon

 

IGBT IGBT

Perte de commutation IGBT Perte de commutation IGBT

E = f (VCE), Tvj = 25°C E = f (VCE), Tvj = 175°C

La valeur de l'électricité utilisée est la valeur de l'électricité utilisée.

 

Faibles pertes de commutation Module de transistor IGBT discret Infineon

 

L'IGBT

Impédance thermique transitoire IGBT

La température de l'air doit être supérieure ou égale à la température de l'air.

 

 

Faibles pertes de commutation Module de transistor IGBT discret Infineon

 

Il s'agit d'un transistor bipolaire à porte isolée discrète (IGBT) avec une tension nominale de 1200V et un courant nominal de 40A.Les IGBT sont couramment utilisés dans les applications électroniques de puissance pour la commutation de hautes tensions et de courantsLes spécifications indiquent que cette IGBT particulière peut supporter une tension maximale de 1200 V et un courant maximal de 40 A.les circuits d'entraînement appropriés et les considérations de dissipation de chaleur sont importants pour assurer la fiabilité et les performances de l'IGBT.

 

 

Circuit électrique le schéma titre 

 

    

    Faibles pertes de commutation Module de transistor IGBT discret Infineon

 

 

 

 

Le paquet les contours

 

 

     Faibles pertes de commutation Module de transistor IGBT discret Infineon

 

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