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courant continu de drain de double N-canal de transistor de puissance de transistor MOSFET de 6.5A 30V

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China courant continu de drain de double N-canal de transistor de puissance de transistor MOSFET de 6.5A 30V wholesale
  • China courant continu de drain de double N-canal de transistor de puissance de transistor MOSFET de 6.5A 30V wholesale

courant continu de drain de double N-canal de transistor de puissance de transistor MOSFET de 6.5A 30V
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Point d'origine :Shenzhen Chine
Quantité d'ordre minimum :PCS 1000-2000
Détails de empaquetage :Enfermé dans une boîte
Délai de livraison :1 - 2 semaines
Conditions de paiement :L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement :18,000,000PCS/par jour
Number modèle :HXY4812
Nom de produit :Transistor de puissance de transistor MOSFET
VDS :30v
Cas :Bande/plateau/bobine
VGS :±20v
Courant continu de drain :6.5A
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Double transistor MOSFET de N-canal de HXY4812 30V

 

 

Description générale

 

Le HXY4822A emploie la technologie avancée de fossé à

fournissez l'excellent RDS (DESSUS) et la basse charge de porte. Ceci

le dispositif convient pour l'usage comme commutateur de charge ou dans PWM

applications.

 

 

Résumé de produit

courant continu de drain de double N-canal de transistor de puissance de transistor MOSFET de 6.5A 30Vcourant continu de drain de double N-canal de transistor de puissance de transistor MOSFET de 6.5A 30V

 

 

 

Capacités absolues T =25°C sauf indication contraire

 

courant continu de drain de double N-canal de transistor de puissance de transistor MOSFET de 6.5A 30V

 

 

Caractéristiques électriques (T =25°C sauf indication contraire)

 

 

courant continu de drain de double N-canal de transistor de puissance de transistor MOSFET de 6.5A 30V

 

 

A. La valeur de RθJA est mesurée avec le dispositif monté sur le conseil de 1in2 FR-4 avec 2oz. Cuivre, dans un environnement aérien encore avec les VENTRES =25°C.

la valeur dans n'importe quelle application indiquée dépend de la conception spécifique du conseil de l'utilisateur.

B. Le palladium de dissipation de puissance est basé sur TJ (max) =150°C, utilisant la résistance thermique jonction-à-ambiante du ≤ 10s.

L'estimation de C. Repetitive, durée d'impulsion limitée par des estimations de la température de jonction TJ (max) =150°C. sont basées sur basse fréquence et des temps d'utilisation pour garder

D. Le RθJA est la somme de l'impédance thermique de la jonction pour mener RθJL et à mener à ambiant.

E. Les caractéristiques statiques sur les schémas 1 6 sont obtenues utilisant <300>

 

courant continu de drain de double N-canal de transistor de puissance de transistor MOSFET de 6.5A 30Vcourant continu de drain de double N-canal de transistor de puissance de transistor MOSFET de 6.5A 30V

 

 

 

 

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