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Otomo Semiconductor Technology (Shenzhen) Co., Ltd

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Transistors noirs de transistor MOSFET des transistors rf de l'effet de gisement de semiconducteur métal oxyde de PD57018-E rf (transistor MOSFET de rf)

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China Transistors noirs de transistor MOSFET des transistors rf de l'effet de gisement de semiconducteur métal oxyde de PD57018-E rf (transistor MOSFET de rf) wholesale
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Transistors noirs de transistor MOSFET des transistors rf de l'effet de gisement de semiconducteur métal oxyde de PD57018-E rf (transistor MOSFET de rf)
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Number modèle :PD57018-E
Quantité d'ordre minimum :1000
Conditions de paiement :T/T
Capacité d'approvisionnement :5k-10k par jour
Délai de livraison :5-8 jours de travail
Détails de empaquetage :Paquet : QFN
Type :circuit intégré
D/c :2021+
Fréquence - commutation :Norme
De puissance de sortie :18 W
Température de fonctionnement minimum :- 65 C
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Nom de produit : PD57018-E Transistors noirs de transistor MOSFET des transistors rf de l'effet de gisement de semiconducteur métal oxyde de PD57018-E rf (transistor MOSFET de rf)
Fabricant : STMicroelectronics Catégorie de produit : Transistors de l'effet de gisement de semiconducteur métal oxyde de rf (transistor MOSFET de rf)
Polarité de transistor : N-canal Technologie : SI
Courant Identification-continu de drain : 2,5 A tension claque de Vds-drain-source : 65 V
Source de Sur-drain du RDS sur la résistance : 760 mOhms Fréquence d'opération : 1 gigahertz
Gain : DB 16,5 De puissance de sortie : 18 W
Température de fonctionnement minimum : - 65 C Température de fonctionnement maximum : + 150 C
Style d'installation : SMD/SMT Paquet/cas : PowerSO-10RF-Formed-4
Paquet : Tube Marque : STMicroelectronics
Mode de la Manche : Amélioration Configuration : Simple
Transconductance en avant - minute : 1 S Taille : 3,5 millimètres
Longueur : 7,5 millimètres Sensibilité d'humidité : Oui
Dissipation puissance du palladium : 31,7 W Type de produit : Transistors de transistor MOSFET de rf
Série : PD57018-E Quantité de emballage d'usine : 400
Sous-catégorie : Transistors MOSFET Type : Transistor MOSFET de puissance de rf
Vgs - tension de Porte-source : 20 V Largeur : 9,4 millimètres
Poids spécifique : 3 g  

 

Mots clés du produit:

metal oxide semiconductor field effect transistor

igbt semiconductor

rf semiconductor
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