Otomo Semiconductor Technology (Shenzhen) Co., Ltd

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Manufacturer from China
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RoHS conjuguent des TRANSISTORS MOSFET du transistor de puissance de transistor MOSFET de la Manche de N SOT-23-6L 6,0 un VDSS

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RoHS conjuguent des TRANSISTORS MOSFET du transistor de puissance de transistor MOSFET de la Manche de N SOT-23-6L 6,0 un VDSS

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Point d'origine :Shenzhen Chine
Quantité d'ordre minimum :PCS 1000-2000
Délai de livraison :1 - 2 semaines
Conditions de paiement :L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement :18,000,000PCS/par jour
Number modèle :8205A
Nom de produit :Transistor de puissance de transistor MOSFET
VDSS :6,0 A
APPLICATION :Gestion de puissance
CARACTÉRISTIQUE :Basse charge de porte
Transistor de transistor MOSFET de puissance :SOT-23-6L Plastique-s'encapsulent
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8205A SOT-23-6L Plastique-encapsulent le double transistor MOSFET de N-canal de TRANSISTORS MOSFET

 

 

Description générale

 

 

VDSS= V ID= 6,0 A

z 20

G1

6

D1, D2

5

G2

4

  z  

Le RDS (dessus) <>

25m

GS

  z  

Le RDS (dessus) <>

32m

GS

1 2 3

S1

D1, D2 S2

 

 

 

 

CARACTÉRISTIQUE

 

transistor MOSFET de puissance de z TrenchFET

z l'excellent RDS (dessus)

basse charge de porte de z

puissance élevée de z et capacité de remise actuelle

paquet extérieur de bâti de z

 

 

APPLICATION

 

protection de batterie de z

commutateur de charge de z

gestion de puissance de z

 

 

Condition d'essai de symbole de paramètre Min Typ Max Unit
CHARACTERICTISCS STATIQUE
tension claque de Drain-source V (BR) SAD VGS = 0V, identification =250µA 19 V
Drain zéro IDSS actuel VDS =18V, de tension de porte µA VGS = 0V 1
fuite IGSS actuel VGS =±10V, Na de Porte-corps de VDS = de 0V ±100
Tension de seuil de porte (note 3) VGS (Th) VDS =VGS, identification =250µA 0,5 0.9V
Tranconductance en avant (gFS VDS =5V, identification =4.5A 10 S de note 3)
Tension en avant de diode (note 3) VSD IS=1.25A, VGS = 0V 1,2 V

 

 

CHARACTERICTISCS DYNAMIQUE (note4)
Ciss de capacité d'entrée 800 PF
Capacité de sortie Coss VDS =8V, VGS =0V, f =1MHz 155 PF
Capacité inverse Crss 125 PF de transfert

 

 

COMMUTATION CHARACTERICTISCS (note 4)
Temps de retard d'ouverture TD (dessus) 18 NS
Temps de montée d'ouverture TR VDD=10V, VGS=4V, 5 NS
Temps de retard d'arrêt TD () ID=1A, RGEN=10Ω 43 NS
Temps de chute d'arrêt tf 20 NS
Charge totale Qg 11 OR de porte
Charge Qgs VDS =10V, VGS =4.5V, ID=4A 2,3 OR de Porte-source
Charge Qgd 2,5 OR de Porte-drain

 

 

Notes :

1. Estimation répétitive : Largeur de Pluse limitée par la température de jonction maximum

2. Extérieur monté sur FR4 le panneau, sec t≤10.

3. Essai d'impulsion : Impulsion width≤300μs, devoir cycle≤2%.

4. Garanti par conception, pas sujet à la production.

 

 

 

RoHS conjuguent des TRANSISTORS MOSFET du transistor de puissance de transistor MOSFET de la Manche de N SOT-23-6L 6,0 un VDSS

RoHS conjuguent des TRANSISTORS MOSFET du transistor de puissance de transistor MOSFET de la Manche de N SOT-23-6L 6,0 un VDSSRoHS conjuguent des TRANSISTORS MOSFET du transistor de puissance de transistor MOSFET de la Manche de N SOT-23-6L 6,0 un VDSS

 

 

Dimensions d'ensemble de paquet de SOT-23-6L

 

 

RoHS conjuguent des TRANSISTORS MOSFET du transistor de puissance de transistor MOSFET de la Manche de N SOT-23-6L 6,0 un VDSS

RoHS conjuguent des TRANSISTORS MOSFET du transistor de puissance de transistor MOSFET de la Manche de N SOT-23-6L 6,0 un VDSS

 

 

 

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