Otomo Semiconductor Technology (Shenzhen) Co., Ltd

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Manufacturer from China
Fournisseur Vérifié
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Conducteur à haute tension original Using Transistor de transistor MOSFET de transistor de puissance de transistor MOSFET

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Otomo Semiconductor Technology (Shenzhen) Co., Ltd
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Ville:shenzhen
Pays / Région:china
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Conducteur à haute tension original Using Transistor de transistor MOSFET de transistor de puissance de transistor MOSFET

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Number modèle :1503C1
Point d'origine :Shenzhen Chine
Quantité d'ordre minimum :Négociation
Conditions de paiement :L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement :18,000,000PCS/par jour
Délai de livraison :1 - 2 semaines
Détails de empaquetage :Enfermé dans une boîte
Nom de produit :Transistor à haute tension de transistor MOSFET
R DS (DESSUS) = 7.1mΩ (type.) :@V GS = 10V
R du mΩ 10,0 de DS (DESSUS) = (type.) :@V GS = 4.5V
Caractéristique :Robuste
Type :Original
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Transistor à haute tension original de transistor MOSFET, conducteur Using Transistor de transistor MOSFET

 

Fonctionnement et caractéristiques à haute tension de transistor de transistor MOSFET

 

La construction du transistor MOSFET de puissance est dans les V-configurations, comme nous pouvons voir dans la figure suivante. Ainsi le dispositif s'appelle également comme V-MOSFET ou V-FET. Le V la forme du transistor MOSFET de puissance est coupé pour pénétrer de la surface de dispositif est presque au substrat de N+ au N+, au P, et au N – couches. La couche de N+ est la couche fortement enduite avec un bas matériel résistif et la couche de n est une couche légèrement enduite avec la région de haute résistance.

 

Description à haute tension de caractéristique de transistor de transistor MOSFET

 

30V/34A
R DS (DESSUS) = (type.) @V 7.1mΩ GS = 10V
R de DS (DESSUS) = du @V 10,0 de mΩ (type.) GS = 4.5V
L'avalanche 100% a examiné
Fiable et rocailleux
Halogène libre et dispositifs verts disponibles
(RoHS conforme)

 

Applications à haute tension de transistor de transistor MOSFET

 

Application de changement
Gestion de puissance pour DC/DC
Protection de batterie

 

L'information de commande et de repérage

 

C1
1503
YYXXXJWW

 

Code de paquet


C1 : DFN3*3-8L

   

                 

Code de date


YYXXX WW

 

Note : Les produits sans plomb de HUAYI contiennent les composés de moulage/pour mourir les matériaux d'attache et le fer-blanc mat de 100% Termi-
Finition de nation ; ce qui sont entièrement conformes avec RoHS. Les produits sans plomb de HUAYI rencontrer ou dépasser le sans plomb exigent
ments d'IPC/JEDEC J-STD-020 pour la classification de MSL à la température maximale sans plomb de ré-écoulement. HUAYI définit
« Vert » pour signifier sans plomb (RoHS conforme) et l'halogène librement (le Br ou le Cl ne dépasse pas 900ppm en poids dedans
le matériel et le total homogènes de Br et de Cl ne dépasse pas 1500ppm en poids).
HUAYI se réserve le droit d'apporter des changements, des corrections, des améliorations, des modifications, et des améliorations à ces RP
oduct et/ou à ce document à tout moment sans préavis.

 

Capacités absolues

Conducteur à haute tension original Using Transistor de transistor MOSFET de transistor de puissance de transistor MOSFET

 

Caractéristiques de fonctionnement typiques

 

Conducteur à haute tension original Using Transistor de transistor MOSFET de transistor de puissance de transistor MOSFET

 

 

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