Symbole	Paramètre	Valeur	Unité
VCBO	Tension de collecteur-base	310	V
VCEO	Tension de collecteur-émetteur	305	V
VEBO	Tension d'Émetteur-base	5	V
IC	Courant de collecteur - continu	200	mA
Missile aux performances améliorées	Courant de collecteur - pulsé	500	mA
PC	Dissipation de puissance de collecteur	500	mW
RθJA	Résistance thermique de jonction à ambiant	250	℃/W
TJ	La température de jonction	150	℃
Tstg	Température de stockage	-55~+150	℃

Paramètre	Symbole	Conditions d'essai	Minute	Type	Maximum	Unité
Tension claque de collecteur-base	V (BR) CBO	IC =100ΜA, IE =0	310			V
Tension claque de collecteur-émetteur	PRÉSIDENT DE V (BR)	IC =1MA, IB =0	305			V
tension claque d'Émetteur-base	V (BR) EBO	IE =100ΜA, IC =0	5			V
Courant de coupure de collecteur	ICBO	VCB =200V, IE =0			0,25	µA
	ICEX	VCE =100V, VX =5V			5	µA
		VCE =300V, VX =5V			10	µA
Courant de coupure d'émetteur	IEBO	VEB =5V, IC =0			0,1	µA
Gain actuel de C.C	hFE (1)	VCE =10V, IC =1MA	60
	hFE (2)	VCE =10V, IC =10MA	100		300
	hFE (3)	VCE =10V, IC =30MA	75
Tension de saturation de collecteur-émetteur	VCE (s'est reposé)	IC =20MA, IB =2MA			0,2	V
Tension de saturation d'émetteur de base	VBE (s'est reposé)	IC =20MA, IB =2MA			0,9	V
Fréquence de transition	pi	VCE=20V, IC=10mA, f=30MHz	50			Mégahertz

Symbole	Dimensions dans les millimètres		Dimensions en pouces
	Minute	Maximum	Minute	Maximum
	1,400	1,600	0,055	0,063
b	0,320	0,520	0,013	0,020
b1	0,400	0,580	0,016	0,023
c	0,350	0,440	0,014	0,017
D	4,400	4,600	0,173	0,181
D1	1,550 Réf.		0,061 Réf.
E	2,300	2,600	0,091	0,102
E1	3,940	4,250	0,155	0,167
e	1,500 TYPE.		0,060 TYPES.
e1	3,000 TYPE.		0,118 TYPES.
L	0,900	1,200	0,035	0,047

transistor de puissance du transistor de puissance du silicium 600mA NPN à forte intensité

STM32 IC