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Manufacturer from China
Fournisseur Vérifié
5 Ans
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Type matériel de transistor de triode de silicium des transistors de puissance de l'astuce MJE13003 NPN

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Ville:shenzhen
Pays / Région:china
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Type matériel de transistor de triode de silicium des transistors de puissance de l'astuce MJE13003 NPN

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Place of Origin :ShenZhen China
Brand Name :OTOMO
Certification :RoHS、SGS
MOQ :1000-2000 PCS
Price :Negotiated
Packaging Details :Boxed
Delivery Time :1 - 2 Weeks
Payment Terms :L/C T/T Western Union
Supply Ability :18,000,000PCS / Per Day
Model Number :MJE13003
Type :Triode Transistor
Material :Silicon
Power mosfet transistor :TO-126 Plastic-Encapsulate
Product name :semiconductor triode type
Tj :150℃
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TO-126 Plastique-encapsulent le TRANSISTOR des transistors MJE13003 (NPN)

 

 

CARACTÉRISTIQUE
 

Applications de changement de puissance de Ÿ

 

 

INSCRIPTION

Code de MJE13003=Device

Point solide = dispositif composé de moulage vert, si aucun, le dispositif normal

Type matériel de transistor de triode de silicium des transistors de puissance de l'astuce MJE13003 NPN

 

Type matériel de transistor de triode de silicium des transistors de puissance de l'astuce MJE13003 NPN

 

 

L'INFORMATION DE COMMANDE

Numéro de la pièce Paquet Méthode de emballage Quantité de paquet
MJE13003 TO-126 Le volume 200pcs/Bag
MJE13003-TU TO-126 Tube 60pcs/Tube


 

 

 

 

ESTIMATIONS MAXIMUM (merci =25 Š sauf indication contraire)

 

Symbole Paramètre Valeur Unité
VCBO Tension de collecteur-base 600 V
VCEO Tension de collecteur-émetteur 420 V
VEBO Tension d'Émetteur-base 7 V
IC Courant de collecteur - continu 0,2
PC Dissipation de puissance de collecteur 0,75 W
TJ La température de jonction 150
Tstg Température de stockage -55 ~150

 

 

 

 


CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES

 

 

Ventres =25 Š sauf indication contraire


 

Paramètre Symbole Conditions d'essai Minute Type Maximum Unité
Tension claque de collecteur-base V (BR) CBO IC = 0.1mA, IE =0 600     V
Tension claque de collecteur-émetteur PRÉSIDENT DE V (BR) IC = 1mA, IB =0 400     V
tension claque d'Émetteur-base V (BR) EBO IE =0.1MA, IC =0 6     V
Courant de coupure de collecteur ICBO VCB =600V, IE =0     100 uA
Courant de coupure de collecteur ICEO VCE =400V, IB =0     100 uA
Courant de coupure d'émetteur IEBO VEB =7V, IC =0     10 uA
Gain actuel de C.C hFE (1)* VCE =10V, IC =200MA 20   30  
hFE (2) VCE =10V, IC =250ΜA 5    
Tension de saturation de collecteur-émetteur VCE (s'est reposé) 1 IC =200MA, IB =40MA     0,5 V
Tension de saturation d'émetteur de base VBE (s'est reposé) IC =200MA, IB =40MA     1,1 V
Fréquence de transition pi VCE =10V, IC =100mA, f=1MHz 5     Mégahertz
Temps de chute tf IC =100mA     0,5 μs
Temps d'entreposage tS* IC =100mA 2   4

 

 
Dimensions d'ensemble du paquet TO-92

 

 

Symbole Dimensions dans les millimètres Dimensions en pouces
  Minute Maximum Minute Maximum
2,500 2,900 0,098 0,114
A1 1,100 1,500 0,043 0,059
b 0,660 0,860 0,026 0,034
b1 1,170 1,370 0,046 0,054
c 0,450 0,600 0,018 0,024
D 7,400 7,800 0,291 0,307
E 10,600 11,000 0,417 0,433
e 2,290 TYPE 0,090 TYPES
e1 4,480 4,680 0,176 0,184
h 0,000 0,300 0,000 0,012
L 15,300 15,700 0,602 0,618
L1 2,100 2,300 0,083 0,091
P 3,900 4,100 0,154 0,161
Φ 3,000 3,200 0,118 0,126

 

 

Type matériel de transistor de triode de silicium des transistors de puissance de l'astuce MJE13003 NPN

 

 

Mots clés du produit:
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